НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
B1D03120EBASiC SEMICONDUCTORB1D03120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D04065KFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 13W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D05120EBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D05120EBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
товар відсутній
B1D06065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D06065KBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 42W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.6 грн
5+ 82.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 23W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Power dissipation: 23W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.73V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.12 грн
5+ 90.63 грн
13+ 66.36 грн
35+ 62.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.95 грн
5+ 112.93 грн
13+ 79.64 грн
35+ 75.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
B1D08065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D08065KBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.12 грн
5+ 90.63 грн
11+ 79.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D08065KBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.95 грн
5+ 112.93 грн
11+ 95.05 грн
29+ 89.91 грн
100+ 87.34 грн
500+ 86.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 20W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.69V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+148.47 грн
5+ 128.94 грн
11+ 95.05 грн
29+ 89.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D08065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.72 грн
5+ 103.47 грн
11+ 79.21 грн
29+ 74.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D10065EBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065EBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065FBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.16 грн
5+ 127.02 грн
9+ 102.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10065HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+182.59 грн
5+ 158.28 грн
9+ 122.45 грн
23+ 115.6 грн
150+ 113.03 грн
600+ 111.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+187.2 грн
5+ 162.73 грн
9+ 122.45 грн
23+ 115.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065KSBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156 грн
5+ 130.59 грн
9+ 102.04 грн
23+ 96.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10120EBASiC SEMICONDUCTORB1D10120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D15065KBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.78 грн
5+ 183.39 грн
6+ 152.71 грн
15+ 144.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D15065KBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+263.74 грн
5+ 228.53 грн
6+ 183.25 грн
15+ 173.83 грн
500+ 166.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HCBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.66 грн
5+ 169.12 грн
14+ 160.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HCBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.99 грн
5+ 210.75 грн
14+ 192.67 грн
600+ 190.96 грн
B1D20065HCBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.73 грн
4+ 238.34 грн
5+ 237.62 грн
10+ 224.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D20065HCBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+423.28 грн
4+ 297.01 грн
5+ 285.15 грн
10+ 269.74 грн
150+ 262.03 грн
600+ 259.46 грн
B1D30065TFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.17 грн
3+ 307.56 грн
8+ 290.43 грн
B1D30065TFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+545 грн
3+ 383.26 грн
8+ 348.52 грн
150+ 336.53 грн
600+ 334.82 грн
B1D40065HBASiC SEMICONDUCTORB1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+760.79 грн
3+ 488.09 грн
6+ 460.69 грн
B1DFDC COMPONENTSCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1A; Ifsm: 35A; MBFL; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBFL
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.78 грн
100+ 3.6 грн
395+ 2.5 грн
1080+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 45
B1DFDC COMPONENTSCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1A; Ifsm: 35A; MBFL; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBFL
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.65 грн
125+ 2.89 грн
395+ 2.08 грн
1080+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 70