Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GHX-1017NF2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N JACK FEMALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Female
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
товар відсутній
GHX-1017NX2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N PLUG MALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Male
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4521.76 грн
10+ 4059.91 грн
25+ 3765.7 грн
100+ 3313.08 грн
GHX-328XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 2.7dBi, 2.7dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.6, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 1.811" (46.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
товар відсутній
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1459.74 грн
10+ 1278.57 грн
20+ 1104.21 грн
50+ 1069.7 грн
100+ 971.7 грн
200+ 957.21 грн
500+ 829.54 грн
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.58 грн
10+ 1138.14 грн
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2977.93 грн
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS020A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1883.25 грн
10+ 1850 грн
20+ 1560.38 грн
50+ 1539.68 грн
100+ 1405.11 грн
200+ 1362.32 грн
500+ 1312.63 грн
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2584.51 грн
10+ 2217.4 грн
GHXS030A060S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4791.46 грн
10+ 4293.65 грн
20+ 3608.69 грн
50+ 3484.47 грн
100+ 3360.25 грн
200+ 3235.33 грн
500+ 3111.8 грн
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2017.71 грн
10+ 1766.66 грн
20+ 1434.09 грн
50+ 1389.23 грн
100+ 1343.68 грн
200+ 1254.66 грн
500+ 1153.9 грн
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3549.78 грн
10+ 3045.85 грн
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8082.12 грн
10+ 7554.75 грн
30+ 6470.66 грн
100+ 6207.72 грн
250+ 6090.4 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5065.99 грн
10+ 4582.75 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5136.07 грн
10+ 4755.55 грн
30+ 4060.73 грн
100+ 3705.31 грн
250+ 3635.61 грн
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6733.75 грн
10+ 6149.71 грн
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7261.67 грн
10+ 6788.88 грн
30+ 5741.89 грн
100+ 5492.75 грн
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4235.1 грн
10+ 4000 грн
30+ 3349.2 грн
100+ 3055.21 грн
250+ 2998.62 грн
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3908.11 грн
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11829.6 грн
10+ 10669.13 грн
GHXS050A170S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
1+4010.46 грн
10+ 3522.22 грн
20+ 2880.6 грн
50+ 2783.99 грн
100+ 2688.75 грн
200+ 2592.13 грн
500+ 2472.74 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2114.93 грн
10+ 1809.72 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2228.66 грн
10+ 1951.59 грн
20+ 1639.06 грн
50+ 1603.17 грн
100+ 1483.78 грн
200+ 1434.09 грн
500+ 1356.11 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3012.27 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3338.16 грн
10+ 2796.82 грн
20+ 2349.89 грн
50+ 2271.22 грн
100+ 2193.23 грн
200+ 2114.56 грн
500+ 2016.56 грн
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товар відсутній
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6215.77 грн
10+ 5757.14 грн
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6474.7 грн
10+ 5692.21 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2782.61 грн
10+ 2443.65 грн
20+ 2055.21 грн
50+ 2017.94 грн
100+ 1865.42 грн
200+ 1828.16 грн
500+ 1765.35 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2597.94 грн
10+ 2229.34 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5347.02 грн
10+ 4776.19 грн
20+ 4080.05 грн
50+ 4006.21 грн
100+ 3723.94 грн
200+ 3664.59 грн
500+ 3632.85 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5481.06 грн
10+ 4783.83 грн
100+ 4288.94 грн