Продукція > HP8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HP8Amphenol FCIAmphenol
товар відсутній
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseWIRE: INSULATED ELECTRIC CONDUCTOR Of copper not fitted with connectors
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+933.71 грн
500+ 737.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
HP802HUAYAMICRO08+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP804HUAYA MICRO2008
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8060-9RGBel Power SolutionsSwitching Power Supplies 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
товар відсутній
HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
товар відсутній
HP8060-9RGBel Power SolutionsHP8060-9RG
товар відсутній
HP8120AHENWOOD0106+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8126AHENWOOD0136+
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8127AHENWOOD2002
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8128AHENWOOD2002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
Nominal life: 30min
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
Nominal life: 30min
товар відсутній
HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Zielpositionen: 2-polig
rohsCompliant: YES
Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2
euEccn: NLR
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker
Ausgangspositionen: 1-polig
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.17 грн
10+ 191.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFET -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.06 грн
10+ 120.53 грн
100+ 83.58 грн
250+ 77.41 грн
500+ 69.87 грн
1000+ 60.22 грн
2500+ 57.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8K
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.59 грн
5000+ 34.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+60 грн
250+ 57.59 грн
500+ 55.51 грн
1000+ 51.78 грн
2500+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 198
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 30464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.71 грн
10+ 78.39 грн
100+ 53.09 грн
500+ 45.01 грн
1000+ 36.65 грн
2500+ 32.95 грн
5000+ 32.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 9532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.15 грн
10+ 71.64 грн
100+ 55.7 грн
500+ 44.3 грн
1000+ 36.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+60 грн
250+ 57.59 грн
Мінімальне замовлення: 198
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+31.5 грн
391+ 30.39 грн
397+ 29.99 грн
500+ 28.43 грн
1000+ 25.96 грн
Мінімальне замовлення: 378
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+69.3 грн
180+ 66.21 грн
250+ 63.55 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 52.9 грн
2500+ 49.29 грн
5000+ 47.97 грн
Мінімальне замовлення: 172
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.82 грн
5000+ 41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+69.3 грн
180+ 66.21 грн
250+ 63.55 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 172
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFET HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC/DC converter.
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.08 грн
10+ 89.81 грн
100+ 63.57 грн
500+ 55.01 грн
1000+ 44.8 грн
2500+ 42.13 грн
5000+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.19 грн
10+ 85.34 грн
100+ 66.4 грн
500+ 52.82 грн
1000+ 43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 3W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
товар відсутній
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFET NCH+NCH 30V POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.11 грн
10+ 70.11 грн
100+ 47.47 грн
500+ 40.21 грн
1000+ 32.75 грн
2500+ 30.76 грн
5000+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+44.87 грн
276+ 43.07 грн
500+ 41.52 грн
1000+ 38.73 грн
Мінімальне замовлення: 265
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.51 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.74 грн
500+ 39.57 грн
1000+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 3W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.64 грн
10+ 96.76 грн
25+ 91.85 грн
100+ 70.81 грн
250+ 66.19 грн
500+ 58.49 грн
1000+ 45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.08 грн
10+ 99.26 грн
100+ 67.55 грн
500+ 57.06 грн
1000+ 50.21 грн
2500+ 42.61 грн
5000+ 41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorHP8KB7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+133.2 грн
100+ 127.23 грн
Мінімальне замовлення: 90
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.33 грн
10+ 155.35 грн
25+ 146.57 грн
100+ 117.19 грн
250+ 110.04 грн
500+ 96.29 грн
1000+ 78.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.61 грн
10+ 162.29 грн
100+ 112.35 грн
250+ 103.44 грн
500+ 93.85 грн
1000+ 87.69 грн
2500+ 74.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorHP8KB7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+146.39 грн
90+ 133.27 грн
Мінімальне замовлення: 82
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.78 грн
10+ 87.27 грн
25+ 82.35 грн
100+ 65.84 грн
250+ 61.82 грн
500+ 54.09 грн
1000+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.09 грн
10+ 90.6 грн
100+ 62.75 грн
250+ 57.89 грн
500+ 52.54 грн
1000+ 50.35 грн
2500+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorHP8KC7TB1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 174-183 дні (днів)
2+198.21 грн
10+ 162.29 грн
100+ 113.03 грн
250+ 104.13 грн
500+ 94.54 грн
1000+ 87.69 грн
2500+ 74.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.81 грн
10+ 156.2 грн
25+ 147.4 грн
100+ 117.85 грн
250+ 110.66 грн
500+ 96.83 грн
1000+ 78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorHP8KC7TB1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+147.4 грн
89+ 134.28 грн
109+ 109.04 грн
200+ 98.32 грн
Мінімальне замовлення: 81
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.69 грн
10+ 92.17 грн
100+ 64.33 грн
250+ 58.98 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 52.54 грн
2500+ 44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+131.41 грн
Мінімальне замовлення: 150
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.71 грн
10+ 85.27 грн
100+ 67.85 грн
500+ 53.88 грн
1000+ 45.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorHP8KE7TB1
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 90
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.2 грн
10+ 169.38 грн
100+ 117.14 грн
250+ 108.24 грн
500+ 97.96 грн
1000+ 89.06 грн
2500+ 76.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorHP8KE7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+158.84 грн
78+ 152.79 грн
100+ 147.61 грн
Мінімальне замовлення: 75
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 8.5/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73/80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3/38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.63 грн
10+ 141.02 грн
100+ 97.28 грн
250+ 89.74 грн
500+ 81.52 грн
1000+ 69.87 грн
2500+ 66.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+150.61 грн
82+ 144.88 грн
100+ 139.96 грн
250+ 130.87 грн
500+ 117.87 грн
1000+ 110.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.57 грн
500+ 97.05 грн
1000+ 74.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товар відсутній
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 8.5/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73/80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3/38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.19 грн
10+ 158.31 грн
100+ 127.57 грн
500+ 97.05 грн
1000+ 74.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+150.61 грн
82+ 144.88 грн
100+ 139.96 грн
250+ 130.87 грн
500+ 117.87 грн
1000+ 110.39 грн
2500+ 107.96 грн
Мінімальне замовлення: 79
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 15/26.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: HSOP8
On-state resistance: 180/320mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.17 грн
10+ 120.74 грн
100+ 96.08 грн
500+ 76.3 грн
1000+ 64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+144.16 грн
86+ 138.67 грн
100+ 133.96 грн
250+ 125.26 грн
500+ 112.83 грн
1000+ 105.67 грн
Мінімальне замовлення: 83
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 15/26.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: HSOP8
On-state resistance: 180/320mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товар відсутній
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application.
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.43 грн
10+ 138.65 грн
100+ 95.91 грн
500+ 81.52 грн
1000+ 68.5 грн
2500+ 63.71 грн
5000+ 62 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 18/15A; Idm: 48A; 7W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 18/15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.4/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.79 грн
10+ 96.55 грн
100+ 76.82 грн
500+ 61 грн
1000+ 51.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.87 грн
10+ 103.99 грн
100+ 74.67 грн
250+ 68.5 грн
500+ 62.82 грн
1000+ 53.84 грн
2500+ 51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+61.42 грн
250+ 58.95 грн
500+ 56.83 грн
1000+ 53.01 грн
Мінімальне замовлення: 194
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 18/15A; Idm: 48A; 7W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 18/15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.4/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товар відсутній
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.5 грн
10+ 82.72 грн
100+ 55.83 грн
500+ 47.34 грн
1000+ 41.51 грн
2500+ 35.28 грн
5000+ 34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.37 грн
10+ 80.28 грн
25+ 76.18 грн
100+ 58.72 грн
250+ 54.89 грн
500+ 48.51 грн
1000+ 37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+72.99 грн
192+ 62.09 грн
Мінімальне замовлення: 163
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.35 грн
10+ 89.14 грн
100+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.5 грн
10+ 82.72 грн
100+ 55.83 грн
500+ 47.34 грн
1000+ 41.51 грн
2500+ 35.28 грн
5000+ 34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 150
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.3 грн
10+ 83.51 грн
100+ 56.24 грн
500+ 47.68 грн
1000+ 43.02 грн
2500+ 36.51 грн
5000+ 34.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.82 грн
10+ 76.78 грн
100+ 59.72 грн
500+ 47.5 грн
1000+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
HP8S36TB
Код товару: 174887		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+64.13 грн
250+ 61.57 грн
500+ 59.34 грн
1000+ 55.36 грн
2500+ 49.74 грн
5000+ 46.47 грн
Мінімальне замовлення: 186
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
товар відсутній