Продукція > IKD

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.66 грн
10+	123.68 грн
25+	102.07 грн
50+	97.28 грн
100+	92.48 грн
260+	88.37 грн
520+	82.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD0103101

Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube

товар відсутній

IKD0104000

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD0203000

Low Profile Dual in Line Switche Two Way

товар відсутній

IKD0203101

APEM

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.47 грн
5+	118.46 грн
10+	108.47 грн
12+	74.21 грн
31+	70.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD0203101

APEM

на замовлення 114 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	173.37 грн
5+	147.61 грн
10+	130.16 грн
12+	89.06 грн
31+	84.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0204101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

товар відсутній

IKD03N60RF

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RF

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD03N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

на замовлення 2015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.73 грн
10+	50.02 грн
100+	38.9 грн
500+	30.94 грн
1000+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.03 грн
500+	35.39 грн
1000+	29.25 грн
5000+	28.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD03N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.41 грн
10+	55.54 грн
100+	37.61 грн
500+	32.54 грн
1000+	26.51 грн
2500+	24.39 грн
5000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD03N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 7076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.71 грн
17+	47.18 грн
100+	33.81 грн
500+	26.62 грн

Мінімальне замовлення: 13

IKD03N60RFATMA1

товар відсутній

IKD03N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD03N60RFBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD04N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD04N60R

8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKD04N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60R6EDV1

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC

на замовлення 2329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD04N60RAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD04N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 1681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

476+	43.1 грн

Мінімальне замовлення: 476

IKD04N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD04N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

товар відсутній

IKD04N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.47 грн
10+	50.38 грн
100+	39.21 грн
500+	31.19 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 4076 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.35 грн
10+	41.2 грн
100+	30.42 грн
500+	27.47 грн
1000+	24.66 грн
2500+	23.98 грн
5000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD04N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RBTMA1

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD04N60RC2ATMA1

SP004542900

товар відсутній

IKD04N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 10681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.79 грн
10+	42.23 грн
100+	25.48 грн
500+	21.3 грн
1000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD04N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 12141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.94 грн
10+	37.96 грн
100+	26.29 грн
500+	20.62 грн
1000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.18 грн
18+	43.88 грн
100+	31.28 грн
500+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 14

IKD04N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD04N60RF

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD04N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKD04N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.71 грн
500+	49.81 грн
1000+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD04N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 2330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.08 грн
10+	58.3 грн
100+	41.79 грн
500+	36.1 грн
1000+	29.46 грн
2500+	27.74 грн
5000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

товар відсутній

IKD04N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.88 грн
10+	56.73 грн
100+	44.14 грн
500+	35.11 грн
1000+	28.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.05 грн
10+	78.38 грн
100+	60.71 грн
500+	49.81 грн
1000+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD04N60RFBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD0603000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.81 грн
10+	173.32 грн
25+	143.17 грн
50+	136.32 грн
100+	129.47 грн
250+	123.99 грн
500+	115.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD06N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 7021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

596+	35.07 грн

Мінімальне замовлення: 596

IKD06N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD06N60RA

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

на замовлення 1507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.46 грн
10+	129.99 грн
25+	106.18 грн
100+	90.43 грн
250+	84.95 грн
500+	73.98 грн
1000+	69.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.91 грн
25+	28.46 грн
50+	27.01 грн
100+	24.62 грн
250+	23.24 грн
500+	22.87 грн
1000+	22.49 грн

Мінімальне замовлення: 21

IKD06N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RAATMA2

Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	50.8 грн

Мінімальне замовлення: 398

IKD06N60RAATMA2

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKD06N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.1 грн
10+	58.09 грн
100+	45.17 грн
500+	35.93 грн
1000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD06N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.46 грн
11+	70.09 грн
100+	53.56 грн
500+	43.96 грн
1000+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	52.09 грн
231+	51.56 грн
249+	47.83 грн
251+	45.8 грн
500+	39.61 грн
1000+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 229

IKD06N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 1213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.87 грн
8+	47.38 грн
22+	38.25 грн
60+	36.18 грн
500+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD06N60RATMA1

на замовлення 1213 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.05 грн
22+	45.9 грн
60+	43.41 грн
500+	41.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD06N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.92 грн
10+	64.6 грн
100+	43.71 грн
500+	36.99 грн
1000+	30.14 грн
2500+	27.74 грн
5000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.98 грн
13+	48.37 грн
25+	47.88 грн
100+	42.82 грн
250+	39.38 грн
500+	35.31 грн
1000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKD06N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD06N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.22 грн
10+	50.73 грн
100+	38.84 грн
500+	34.18 грн
1000+	27.81 грн
2500+	26.17 грн
5000+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD06N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.43 грн
10+	53.59 грн
100+	41.71 грн
500+	33.18 грн
1000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD06N60RC2ATMA1

SP005349953

товар відсутній

IKD06N60RC2ATMA1

IKD06N60RC2ATMA1

товар відсутній

IKD06N60RF

12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKD06N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

на замовлення 1356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.31 грн
10+	73.27 грн
100+	49.94 грн
500+	42.34 грн
1000+	34.46 грн
2500+	33.7 грн
5000+	33.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD06N60RFA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD06N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.28 грн
10+	46.74 грн
100+	36.33 грн
500+	28.89 грн
1000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKD06N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.87 грн
500+	46.67 грн
1000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4142500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD06N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.61 грн
11+	73.77 грн
100+	56.87 грн
500+	46.67 грн
1000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

IKD06N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.31 грн
10+	43.8 грн
100+	33.36 грн
500+	30.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 7758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.02 грн
10+	114.25 грн
100+	90.93 грн
500+	72.2 грн
1000+	61.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N65ET6ARMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 5609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.49 грн
10+	80.36 грн
100+	62.82 грн
250+	60.28 грн
500+	60.15 грн
1000+	58.43 грн
3000+	53.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.07 грн
500+	69.79 грн
1000+	56.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD06N65ET6ARMA1

IKD06N65ET6

товар відсутній

IKD06N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.4 грн
6000+	59.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.71 грн
10+	107.59 грн
100+	86.07 грн
500+	69.79 грн
1000+	56.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD0800000

IKD0800000

товар відсутній

IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.2 грн
10+	187.5 грн
22+	148.65 грн
110+	128.79 грн
264+	116.46 грн
506+	107.55 грн
1012+	100.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.58 грн
10+	202.46 грн
22+	165.78 грн
44+	158.93 грн
110+	150.02 грн
264+	143.86 грн
506+	132.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD0803101

SK6812 LED Development Tool

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.21 грн
10+	134.44 грн
100+	107.02 грн
500+	84.98 грн
1000+	72.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

товар відсутній

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.05 грн
10+	117.38 грн
100+	86.32 грн
250+	82.89 грн
500+	72.61 грн
1000+	66.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

на замовлення 2367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.1 грн
10+	82.72 грн
100+	55.01 грн
500+	46.86 грн
1000+	38.91 грн
2500+	36.86 грн
5000+	35.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	75.5 грн
100+	58.73 грн
500+	46.72 грн
1000+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	97.11 грн
10+	89.04 грн
25+	87.84 грн
100+	72.26 грн
250+	65.07 грн
500+	54.21 грн
1000+	44 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RATMA1

товар відсутній

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD10N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.75 грн
11+	73.24 грн
100+	53.87 грн
500+	43.17 грн
1000+	35.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 3834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.74 грн
10+	65.58 грн
100+	50.99 грн
500+	40.56 грн
1000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD10N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.42 грн
10+	53.1 грн
100+	39.39 грн
500+	35.69 грн
1000+	31.99 грн
2500+	31.24 грн
5000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD10N60RC2ATMA1

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3

товар відсутній

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.67 грн
10+	87.59 грн
25+	86.72 грн
100+	67.75 грн
250+	61.68 грн
500+	50.65 грн
1000+	40.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	94.33 грн
128+	93.39 грн
157+	75.66 грн
250+	71.74 грн
500+	56.82 грн
1000+	43.87 грн

Мінімальне замовлення: 126

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.85 грн
500+	62.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD10N60RF

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD10N60RF
Код товару: 113379

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168

товар відсутній

IKD10N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 5037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.88 грн
10+	97.69 грн
100+	65.63 грн
500+	55.9 грн
1000+	45.56 грн
2500+	44.46 грн
5000+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.23 грн
500+	66.58 грн
1000+	53.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD10N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.15 грн
10+	87.77 грн
100+	68.23 грн
500+	54.27 грн
1000+	44.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.65 грн
10+	102.21 грн
100+	82.23 грн
500+	66.58 грн
1000+	53.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 6878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.48 грн
10+	98.48 грн
100+	66.24 грн
500+	55.97 грн
1000+	45.62 грн
2500+	42.88 грн
5000+	40.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товар відсутній

IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

товар відсутній

IKD15N60R

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60RA

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

Description: IGBT 600V 30A 250W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 7198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.31 грн
500+	62.94 грн
1000+	47.29 грн
5000+	45.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 19351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.38 грн
10+	90.91 грн
100+	72.36 грн
500+	57.46 грн
1000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	131.87 грн
5+	114.71 грн
11+	91.62 грн
30+	87.34 грн
500+	83.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

на замовлення 7198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.09 грн
10+	104.51 грн
100+	74.31 грн
500+	62.94 грн
1000+	47.29 грн
5000+	45.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.25 грн
5000+	47.5 грн
12500+	45.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RATMA1

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.89 грн
5+	92.05 грн
11+	76.35 грн
30+	72.79 грн
500+	69.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD15N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

на замовлення 10276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.08 грн
10+	100.84 грн
100+	69.87 грн
250+	67.55 грн
500+	58.71 грн
1000+	50.28 грн
2500+	47.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IKD15N60RBTMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	68 грн

Мінімальне замовлення: 306

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.41 грн
10+	74.65 грн
25+	73.9 грн
100+	64.39 грн
250+	58.32 грн
500+	51.1 грн
1000+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

на замовлення 4388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.23 грн
10+	82.78 грн
100+	64.43 грн
500+	51.25 грн
1000+	41.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товар відсутній

IKD15N60RC2ATMA1

SP005349957

товар відсутній

IKD15N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.31 грн
10+	76.18 грн
100+	56.17 грн
500+	50.62 грн
1000+	43.02 грн
2500+	40.49 грн
5000+	38.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	84.44 грн
148+	80.4 грн
150+	79.59 грн
166+	69.35 грн
250+	62.8 грн
500+	55.03 грн
1000+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 141

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.58 грн
10+	100.67 грн
100+	79.92 грн
500+	65.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.92 грн
500+	65.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 1702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.26 грн
10+	113.44 грн
100+	78.09 грн
250+	72.61 грн
500+	65.63 грн
1000+	56.52 грн
2500+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKD15N60RF

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKD15N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKD15N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKD15N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.25 грн
10+	101.44 грн
100+	73.31 грн
500+	61.51 грн
1000+	46.5 грн
5000+	44.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKD15N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.88 грн
10+	68.93 грн
25+	68.24 грн
100+	65.14 грн
250+	59.72 грн
500+	56.75 грн
1000+	55.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IKD15N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 17951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.59 грн
500+	89.91 грн
1000+	75.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	83.87 грн
160+	74.24 грн
162+	73.49 грн
164+	70.16 грн
250+	64.31 грн
500+	61.12 грн
1000+	59.25 грн

Мінімальне замовлення: 142

IKD15N60RFATMA1