Продукція > IKZ

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.14 грн
10+	418.32 грн
25+	271.96 грн
100+	255.52 грн
240+	254.15 грн
480+	218.53 грн
1200+	215.79 грн

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	549.46 грн
5+	517.19 грн
10+	484.91 грн
50+	411.74 грн
100+	343.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.32 грн
30+	329.27 грн
120+	294.62 грн

IKZ50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.36 грн
10+	371.05 грн
25+	304.84 грн
100+	261 грн
240+	202.77 грн
480+	198.66 грн
1200+	186.33 грн

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	223.03 грн

Мінімальне замовлення: 93

IKZ50N65NH5

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKZ50N65NH5XKSA

Description: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товар відсутній

IKZ50N65NH5XKSA1

Description: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товар відсутній

IKZ50N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKZ50N65NH5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKZ50N65NH5XKSA1

товар відсутній

IKZ75N65EH5

Infineon INDUSTRY 14

товар відсутній

IKZ75N65EH5

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65EH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	589.82 грн
10+	580.61 грн
25+	404.18 грн
100+	361.02 грн
240+	342.52 грн
480+	271.96 грн
1200+	260.32 грн

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKZ75N65EL5

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKZ75N65EL5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	656.16 грн
25+	516.8 грн
100+	401.44 грн
240+	393.21 грн
480+	312.38 грн
1200+	297.31 грн

IKZ75N65EL5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

товар відсутній

IKZ75N65EL5XKSA1

товар відсутній

IKZ75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.05 грн
10+	508.92 грн
25+	378.14 грн
100+	343.21 грн
240+	328.14 грн
480+	271.96 грн
1200+	260.32 грн

IKZ75N65ES5XKSA1

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKZ75N65NH5

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKZ75N65NH5

Description: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKZ75N65NH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKZ75N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKZ75N65NH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65NH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKZ75N65NH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZA100N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W

товар відсутній

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	764.75 грн
10+	631.1 грн

IKZA100N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	820 грн
10+	692.48 грн
25+	545.98 грн
100+	502.14 грн
240+	471.31 грн
480+	441.85 грн
1200+	398.01 грн

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1051.28 грн
5+	828.42 грн
10+	669.34 грн
50+	575.86 грн
100+	476.24 грн

IKZA40N120CH7XKSA1

SP005578267

товар відсутній

IKZA40N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	558.74 грн
30+	429.63 грн
120+	384.42 грн

IKZA40N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	607.41 грн
10+	513.65 грн
25+	404.86 грн
100+	371.98 грн
240+	350.06 грн
480+	327.45 грн
1200+	295.25 грн

IKZA40N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZA40N120CS7XKSA1

Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	603.94 грн
30+	464.14 грн
120+	415.27 грн

IKZA40N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	656.16 грн
10+	554.61 грн
25+	437.06 грн
100+	402.12 грн
240+	377.46 грн
480+	354.17 грн
1200+	318.55 грн

IKZA40N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товар відсутній

IKZA40N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	443.88 грн
10+	358.72 грн
240+	274.07 грн

IKZA40N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.73 грн
10+	399.41 грн
25+	327.45 грн
100+	280.87 грн
240+	264.43 грн
480+	249.36 грн
1200+	213.73 грн

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.76 грн

IKZA40N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.61 грн
10+	512.07 грн
25+	404.18 грн
100+	370.61 грн
240+	349.37 грн
480+	327.45 грн
1200+	294.57 грн

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	515.65 грн
5+	451.87 грн
10+	374.25 грн
50+	311.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	260.65 грн

Мінімальне замовлення: 79

IKZA40N65RH5XKSA1

SP004038198

товар відсутній

IKZA50N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	630.62 грн
30+	485.07 грн

IKZA50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZA50N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	676.14 грн
10+	571.16 грн
25+	450.76 грн
100+	414.45 грн
240+	389.1 грн
480+	365.13 грн
1200+	328.14 грн

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	549.46 грн
5+	477.22 грн
10+	414.98 грн
50+	361.08 грн
100+	301.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZA50N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товар відсутній

IKZA50N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.72 грн
10+	414.38 грн
25+	326.77 грн
100+	300.73 грн
240+	282.24 грн
480+	264.43 грн
1200+	238.4 грн

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.29 грн
10+	372.56 грн

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.83 грн
30+	392.02 грн
120+	350.76 грн

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	582.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZA50N65RH5XKSA1

SP004038204

товар відсутній

IKZA50N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.7 грн
10+	493.95 грн
25+	363.07 грн
100+	317.86 грн
480+	268.54 грн
1200+	256.21 грн

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	518.72 грн
30+	418.64 грн

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	670.88 грн
5+	610.94 грн
10+	550.23 грн
50+	505.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZA50N65SS5XKSA1

Hybrid Cool SiC IGBT

товар відсутній

IKZA50N65SS5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	563.45 грн
25+	465.59 грн
2640+	367.87 грн

IKZA50N65SS5XKSA1

Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	836.31 грн
10+	770.5 грн

IKZA75N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	862.36 грн
10+	727.93 грн
25+	574.75 грн
100+	528.17 грн
240+	495.97 грн
480+	465.14 грн
1200+	418.56 грн

IKZA75N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	793.65 грн
30+	609.85 грн
120+	545.67 грн

IKZA75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKZA75N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	572.08 грн
10+	472.04 грн

IKZA75N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товар відсутній

IKZA75N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	620.99 грн
10+	525.46 грн
25+	414.45 грн
100+	380.2 грн
240+	357.59 грн
480+	334.99 грн
1200+	302.1 грн

IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1

товар відсутній

IKZA75N65RH5XKSA1

SP004038216

товар відсутній

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	646.57 грн
10+	615.27 грн
25+	478.16 грн
100+	397.33 грн
240+	387.73 грн
480+	356.22 грн
2640+	340.47 грн

IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1082.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1004.91 грн
10+	916.01 грн
25+	870.42 грн
50+	782.69 грн
100+	639.63 грн

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	758.49 грн
5+	683.18 грн
10+	607.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	675.08 грн
30+	519.16 грн

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1487.01 грн
10+	1367.12 грн
25+	1155.02 грн
240+	1042.55 грн

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	899.61 грн
30+	701.53 грн
120+	660.25 грн

IKZA75N65SS5XKSA1

SP004038220

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKZA75N65SS5XKSA1