Продукція > NJV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NJV1MJD32CT4GonsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NJV25T-680J-PF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV2N6109GonsemiDescription: BIP T0-220 PNP 7A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NJV2N6109GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV2N6109G - BIP T0-220 PNP 7A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJV32T-R47J-PFDTDKDO214
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.18 грн
19+ 41.04 грн
100+ 30.28 грн
500+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
NJV4030PT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 33526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.69 грн
12+ 27.02 грн
100+ 17.95 грн
500+ 14.52 грн
1000+ 10.62 грн
2000+ 9.73 грн
10000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJV4030PT3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
11+ 30.09 грн
100+ 19.59 грн
500+ 15.41 грн
1000+ 10.82 грн
4000+ 10.55 грн
8000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
NJV4030PT3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.69 грн
12+ 27.97 грн
100+ 18.56 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 13.22 грн
2000+ 11.71 грн
10000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.95 грн
18+ 42.88 грн
100+ 32.05 грн
500+ 23.33 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.74 грн
39+ 15.21 грн
40+ 15.05 грн
100+ 13.82 грн
250+ 12.67 грн
500+ 11.89 грн
1000+ 11.61 грн
3000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 38
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+16.21 грн
770+ 15.43 грн
778+ 15.28 грн
796+ 14.4 грн
1000+ 13.02 грн
3000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 733
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.65 грн
39+ 15.13 грн
40+ 15.06 грн
100+ 13.61 грн
250+ 12.48 грн
500+ 11.63 грн
1000+ 11.48 грн
3000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 38
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+16.22 грн
782+ 15.2 грн
790+ 15.05 грн
814+ 14.09 грн
1000+ 12.87 грн
3000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 733
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJV4031NT3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.73 грн
13+ 25.84 грн
100+ 18.15 грн
500+ 15.55 грн
1000+ 12.67 грн
4000+ 12.33 грн
8000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товар відсутній
NJV6407CFQFP64
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7002MJRC01+
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7032M-TBB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7052M
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7082BVJRC00+ SSOP
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7141F-TE1
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7201L55
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7261V30-TE1JRC1997 SOT23-6
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJV7660MJRCSOP-8 04+
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVBD139GonsemiDescription: BIP C77 NPN 1.5A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NJVBD437TGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBD437TG - BIP C77 NPN 4A 45V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1394+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 1394
NJVBD437TGonsemiDescription: BIP C77 NPN 4A 45V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NJVBDW42onsemiDarlington Transistors
товар відсутній
NJVBDW42GonsemiDarlington Transistors
товар відсутній
NJVBDW47onsemiDarlington Transistors
товар відсутній
NJVBDW47GonsemiDarlington Transistors
товар відсутній
NJVBDX33CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 10A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 987
NJVBDX33CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBDX33CG - BIP TO-220 NPN 10A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1188
NJVBDX53C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVBDX53ConsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
товар відсутній
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorDarlington Transistors BIP D2PAK DARL XSTR TR
товар відсутній
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorNPN Silicon Power Darlington
товар відсутній
NJVBUB323ZT4GON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.05 грн
10+ 81.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
4+96.71 грн
10+ 78.39 грн
100+ 52.75 грн
500+ 49.73 грн
800+ 35.69 грн
2400+ 34.25 грн
4800+ 32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.41 грн
1600+ 37.19 грн
2400+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+ 69.22 грн
100+ 53.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
NJVMJB41CT4GON Semiconductor
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+ 69.22 грн
100+ 53.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
NJVMJB41CT4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 533
NJVMJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.19 грн
10+ 85.42 грн
100+ 66.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.71 грн
10+ 81.93 грн
100+ 62.82 грн
500+ 53.23 грн
800+ 40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
3+114.29 грн
10+ 92.17 грн
100+ 62.82 грн
500+ 53.23 грн
800+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJB44H11T4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 73342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 447
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB45H11T4GON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.1 грн
10+ 97.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 25434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 447
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NJVMJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.89 грн
10+ 93.75 грн
100+ 64.33 грн
500+ 51.38 грн
800+ 43.98 грн
2400+ 41.31 грн
4800+ 39.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NJVMJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.91 грн
75+ 39.11 грн
150+ 28.39 грн
525+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD112GonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.75 грн
10+ 48.53 грн
75+ 26.99 грн
525+ 22.61 грн
1050+ 17.13 грн
2550+ 16.78 грн
4950+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD112GON Semiconductor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD112T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
10+ 38.6 грн
100+ 26.72 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 21.44 грн
2500+ 19.11 грн
5000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD112T4G
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 19196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.1 грн
10+ 45.17 грн
100+ 31.29 грн
500+ 24.53 грн
1000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
5000+ 18.77 грн
12500+ 17.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD117T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.05 грн
10+ 61.21 грн
100+ 41.45 грн
500+ 35.07 грн
1000+ 28.63 грн
2500+ 26.85 грн
5000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD122T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.51 грн
10+ 51.16 грн
100+ 35.42 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD122T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.18 грн
10+ 56.96 грн
100+ 34.18 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 24.32 грн
2500+ 21.65 грн
5000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.3 грн
5000+ 21.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVMJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1099838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.73 грн
10+ 53.45 грн
100+ 37 грн
500+ 29.01 грн
1000+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD127T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 12701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.92 грн
10+ 37.97 грн
100+ 28.91 грн
500+ 27.47 грн
1000+ 25 грн
2500+ 22.33 грн
5000+ 21.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1097500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.34 грн
5000+ 22.2 грн
12500+ 20.56 грн
25000+ 19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.5 грн
10+ 49.16 грн
100+ 29.59 грн
500+ 24.73 грн
1000+ 21.51 грн
2500+ 19.18 грн
5000+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.35 грн
10+ 44.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD128T4GON Semiconductor
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.12 грн
10+ 38.21 грн
100+ 33.09 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 27.68 грн
2500+ 26.03 грн
5000+ 24.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD148T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
товар відсутній
NJVMJD210T4GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
товар відсутній
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
товар відсутній
NJVMJD210T4G-VF01onsemiDescription: NJVMJD210T4G-VF01
товар відсутній
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.58 грн
10+ 46.31 грн
100+ 32.08 грн
500+ 25.15 грн
1000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товар відсутній
NJVMJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 11798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.12 грн
10+ 36.4 грн
100+ 25.96 грн
500+ 23.7 грн
1000+ 21.44 грн
2500+ 19.52 грн
5000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD253T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD253T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
7+48.75 грн
10+ 41.6 грн
100+ 26.99 грн
500+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.51 грн
10+ 44.04 грн
100+ 27.61 грн
500+ 22.4 грн
1000+ 18.63 грн
2500+ 16.78 грн
5000+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 16508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.94 грн
10+ 38.61 грн
100+ 26.71 грн
500+ 20.94 грн
1000+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.57 грн
5000+ 16.03 грн
12500+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
5+76.57 грн
10+ 61.61 грн
100+ 41.72 грн
500+ 35.35 грн
1000+ 28.77 грн
2500+ 27.06 грн
5000+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.4 грн
10+ 55.45 грн
100+ 43.1 грн
500+ 34.28 грн
1000+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.36 грн
10+ 37.81 грн
75+ 21.24 грн
525+ 18.02 грн
1050+ 17.33 грн
1875+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.98 грн
75+ 34.52 грн
150+ 25.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.17 грн
10+ 39.82 грн
100+ 27.56 грн
500+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 14504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.44 грн
10+ 32.38 грн
100+ 22.33 грн
500+ 20.69 грн
1000+ 18.63 грн
1800+ 16.58 грн
3600+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVMJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.51 грн
10+ 44.27 грн
100+ 26.24 грн
500+ 22.4 грн
1000+ 19.11 грн
2500+ 16.65 грн
5000+ 15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.17 грн
10+ 39.82 грн
100+ 27.56 грн
500+ 21.61 грн
1000+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.66 грн
18+ 32.99 грн
25+ 32.66 грн
100+ 22.17 грн
250+ 20.33 грн
500+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 629375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.27 грн
10+ 32.9 грн
100+ 22.77 грн
500+ 17.85 грн
1000+ 15.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 627500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.98 грн
5000+ 13.66 грн
12500+ 12.65 грн
25000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товар відсутній
NJVMJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.08 грн
10+ 41.04 грн
75+ 21.37 грн
525+ 19.04 грн
1050+ 16.17 грн
1875+ 13.29 грн
5625+ 12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.02 грн
75+ 31.67 грн
150+ 22.98 грн
525+ 18.02 грн
1050+ 15.34 грн
2025+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.82 грн
500+ 22.62 грн
1000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD32CT4GON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.26 грн
18+ 43.19 грн
100+ 28.82 грн
500+ 22.62 грн
1000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
NJVMJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 724-733 дні (днів)
8+43.08 грн
10+ 36.95 грн
100+ 22.26 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 15.89 грн
2500+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.02 грн
10+ 33.68 грн
100+ 23.31 грн
500+ 18.28 грн
1000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.69 грн
30+ 19.76 грн
100+ 17.18 грн
250+ 15.63 грн
500+ 14.21 грн
1000+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
NJVMJD32CT4G-VF02onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NJVMJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.65 грн
10+ 60.9 грн
100+ 40.55 грн
500+ 32.06 грн
1000+ 25.69 грн
2500+ 23.22 грн
10000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 58.66 грн
100+ 44.96 грн
500+ 33.35 грн
1000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.65 грн
10+ 41.46 грн
100+ 28.66 грн
500+ 22.48 грн
1000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.55 грн
10+ 45.46 грн
100+ 27.33 грн
500+ 22.88 грн
1000+ 19.87 грн
2500+ 17.26 грн
5000+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товар відсутній
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товар відсутній
NJVMJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.35 грн
10+ 41.6 грн
100+ 25 грн
500+ 20.89 грн
1000+ 17.74 грн
2500+ 15.89 грн
5000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.2 грн
10+ 37.39 грн
100+ 25.9 грн
500+ 20.31 грн
1000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.25 грн
5000+ 23.16 грн
12500+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.76 грн
10+ 48.1 грн
100+ 37.41 грн
500+ 29.76 грн
1000+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
товар відсутній
NJVMJD41CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
товар відсутній
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+ 50.88 грн
100+ 39.57 грн
500+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TR
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.85 грн
10+ 56.56 грн
100+ 38.29 грн
500+ 32.4 грн
1000+ 29.11 грн
1800+ 25.48 грн
3600+ 23.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1800
NJVMJD42CT4
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
товар відсутній
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.35 грн
10+ 44.39 грн
100+ 30.76 грн
500+ 24.12 грн
1000+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD42CT4GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD42CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
товар відсутній
NJVMJD44E3T4GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.77 грн
5000+ 24.56 грн
12500+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVMJD44E3T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 10A 80V TR
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.22 грн
10+ 48.06 грн
100+ 35.01 грн
500+ 31.31 грн
1000+ 25.89 грн
2500+ 24.25 грн
5000+ 23.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+ 51.02 грн
100+ 39.67 грн
500+ 31.55 грн
1000+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
NJVMJD44H11D3T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
товар відсутній
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+414.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
NJVMJD44H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.73 грн
75+ 49.41 грн
150+ 39.15 грн
525+ 31.14 грн
1050+ 25.37 грн
2025+ 23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.41 грн
10+ 63.18 грн
75+ 37.81 грн
525+ 32.06 грн
1050+ 25.62 грн
2550+ 23.36 грн
5100+ 23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+60.86 грн
6+ 44.82 грн
25+ 38.19 грн
29+ 34.85 грн
79+ 32.88 грн
500+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.22 грн
10+ 53.89 грн
100+ 32.4 грн
500+ 27.13 грн
1000+ 25.96 грн
1800+ 22.4 грн
3600+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD44H11RLGON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.8 грн
10+ 48.45 грн
100+ 33.52 грн
500+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
товар відсутній
NJVMJD44H11T4onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD44H11T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.2 грн
500+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJVMJD44H11T4G
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.32 грн
100+ 37.11 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 24.94 грн
2500+ 21.03 грн
10000+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.87 грн
18+ 44.65 грн
100+ 34.2 грн
500+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.99 грн
10+ 52.31 грн
100+ 36.23 грн
500+ 28.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSISTOR
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 65.54 грн
100+ 44.46 грн
500+ 36.72 грн
1000+ 28.98 грн
2500+ 26.99 грн
5000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11D3T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
NJVMJD45H11GON Semiconductor
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.21 грн
75+ 51.78 грн
150+ 37.58 грн
525+ 29.47 грн
1050+ 25.08 грн
2025+ 22.33 грн
5025+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.85 грн
10+ 66.33 грн
75+ 34.53 грн
525+ 28.91 грн
1050+ 22.33 грн
2550+ 21.44 грн
5100+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVMJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
5+68.41 грн
10+ 55.07 грн
100+ 37.27 грн
500+ 31.58 грн
1000+ 30.62 грн
1800+ 25.69 грн
3600+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.73 грн
10+ 50.24 грн
100+ 39.07 грн
500+ 31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11RLGON Semiconductor
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD45H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.38 грн
12+ 69.24 грн
100+ 49.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+ 50.88 грн
100+ 39.57 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 25.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.34 грн
500+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.41 грн
10+ 55.7 грн
100+ 37.75 грн
500+ 31.92 грн
1000+ 25.96 грн
2500+ 24.46 грн
5000+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD45H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD47T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 250V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.77 грн
16+ 20.64 грн
100+ 17.81 грн
1000+ 16.58 грн
2500+ 15.82 грн
5000+ 14.93 грн
10000+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній
NJVMJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD50T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
на замовлення 14530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.79 грн
100+ 20.41 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 17.74 грн
2500+ 15.76 грн
5000+ 14.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
товар відсутній
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.8 грн
10+ 49.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній
NJVMJD6039T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 80V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.18 грн
10+ 57.82 грн
100+ 34.25 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 24.32 грн
2500+ 21.72 грн
5000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJE15032GonsemiDescription: NPN PWR XSTR AUDIO DRV
товар відсутній
NJVMJF6668Gonsemionsemi
товар відсутній
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83 грн
12+ 64.55 грн
100+ 46.42 грн
500+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.42 грн
500+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJVMJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A Automotive
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.33 грн
10+ 59.95 грн
100+ 40.55 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 29.39 грн
3000+ 25.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
12+ 66.09 грн
100+ 47.49 грн
500+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.49 грн
500+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJVMJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose PNP PNP Transistor, 100V, 3A Automotive
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.05 грн
10+ 61.37 грн
100+ 41.51 грн
500+ 35.14 грн
1000+ 28.7 грн
3000+ 26.99 грн
6000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor 80 V, 8.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 59.87 грн
100+ 40.49 грн
500+ 34.32 грн
1000+ 27.95 грн
3000+ 26.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) NPN TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) NPN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVMJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 682-691 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 59.87 грн
100+ 40.49 грн
500+ 34.32 грн
1000+ 27.95 грн
3000+ 26.31 грн
6000+ 25 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NJVNJD1718T4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVNJD1718T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD1718T4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVNJD1718T4GON Semiconductor
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
товар відсутній
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.28 грн
10+ 49.67 грн
100+ 38.06 грн
500+ 28.23 грн
1000+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVNJD2873T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVNJD2873T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 28521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.22 грн
10+ 48.84 грн
100+ 30.07 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 20.96 грн
2500+ 18.63 грн
5000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVNJD2873T4GONSEMINJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товар відсутній
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товар відсутній
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.01 грн
100+ 18.31 грн
250+ 16.85 грн
500+ 16.15 грн
1000+ 16.12 грн
3000+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товар відсутній
NJVNJD35N04GON SemiconductorDarlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJVNJD35N04GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NJVNJD35N04GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJVNJD35N04T4GonsemiDarlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 504-513 дні (днів)
5+74.09 грн
10+ 65.23 грн
100+ 44.25 грн
500+ 36.58 грн
1000+ 28.84 грн
2500+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товар відсутній
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJVTIP106GonsemiSwitching Controllers
товар відсутній
NJVTIP31CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 987
NJVTIP31CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1188
NJVTIP31GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 987
NJVTIP31GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1188
NJVTIP32BGonsemiDescription: BIP T0220 PNP 3A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.9 грн
Мінімальне замовлення: 919
NJVTIP32BGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 1106
NJVTIP50GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 1A 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.2 грн
Мінімальне замовлення: 952
NJVTIP50GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 1145