Продукція > NVT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVT0402S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0402S300M420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S110S180TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S130S220TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160L270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160Q270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q270TRF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q330TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S300N420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7S120TRF
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7T120TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+17236.35 грн
3+ 16324.65 грн
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14363.63 грн
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2001GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.87 грн
23+ 26.47 грн
25+ 26.08 грн
50+ 24.77 грн
100+ 22.58 грн
250+ 21.33 грн
500+ 20.99 грн
1000+ 20.65 грн
3000+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 852994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+26 грн
Мінімальне замовлення: 792
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.61 грн
10+ 57.67 грн
100+ 38.5 грн
500+ 30.42 грн
1000+ 25.83 грн
5000+ 20.48 грн
10000+ 19.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT2002DP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.59 грн
12+ 52.38 грн
27+ 22.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 13042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.25 грн
10+ 52.73 грн
25+ 49.49 грн
100+ 37.9 грн
250+ 35.2 грн
500+ 29.96 грн
1000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.19 грн
500+ 30.04 грн
1000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
на замовлення 71868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.61 грн
10+ 47.9 грн
100+ 33.98 грн
500+ 29.11 грн
1000+ 23.98 грн
2500+ 21.92 грн
5000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.32 грн
50+ 52.33 грн
100+ 43.19 грн
500+ 30.04 грн
1000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+59.67 грн
234+ 50.78 грн
273+ 43.51 грн
289+ 39.72 грн
500+ 34.43 грн
1000+ 31.07 грн
2500+ 28.47 грн
5000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 200
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.04 грн
5000+ 21.55 грн
12500+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2002GD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.85 грн
10+ 61.84 грн
25+ 51.04 грн
100+ 41.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.65 грн
11+ 54.14 грн
25+ 53.6 грн
100+ 38.88 грн
250+ 33.8 грн
500+ 27.15 грн
1000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+40 грн
300+ 39.6 грн
305+ 38.96 грн
348+ 32.99 грн
349+ 30.46 грн
500+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 297
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40 грн
16+ 37.14 грн
25+ 36.77 грн
50+ 34.88 грн
100+ 28.36 грн
250+ 27.16 грн
500+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.02 грн
10+ 51.81 грн
25+ 49.18 грн
100+ 37.9 грн
250+ 35.44 грн
500+ 31.32 грн
1000+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+49.57 грн
268+ 44.42 грн
283+ 42.1 грн
500+ 33.98 грн
4000+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 240
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.38 грн
10+ 54.75 грн
100+ 36.51 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 25.48 грн
2000+ 24.52 грн
4000+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.85 грн
14+ 58.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVT2003DP
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.34 грн
5000+ 28.67 грн
12500+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.87 грн
16+ 50.26 грн
50+ 44.49 грн
100+ 35.89 грн
250+ 32.08 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 27.47 грн
2500+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
на замовлення 66929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.94 грн
10+ 58.22 грн
100+ 38.02 грн
500+ 34.87 грн
1000+ 28.57 грн
2500+ 27.06 грн
5000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.36 грн
10+ 63.58 грн
25+ 60.34 грн
100+ 46.52 грн
250+ 43.49 грн
500+ 38.43 грн
1000+ 29.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.89 грн
250+ 32.08 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 27.47 грн
2500+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2004TL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2004TL,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.62 грн
10+ 62.8 грн
25+ 59.63 грн
100+ 45.97 грн
250+ 42.97 грн
500+ 37.97 грн
1000+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.08 грн
10+ 64.99 грн
100+ 44.87 грн
500+ 39.39 грн
1000+ 30.48 грн
3000+ 28.43 грн
6000+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.79 грн
14+ 44.26 грн
25+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.3 грн
12+ 68.7 грн
50+ 58.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: DHVQFN16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: DHVQFN16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+63.1 грн
214+ 55.53 грн
244+ 48.76 грн
255+ 44.97 грн
500+ 39.39 грн
1000+ 35.83 грн
Мінімальне замовлення: 189
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.86 грн
15+ 41.97 грн
25+ 41.74 грн
100+ 36.75 грн
250+ 33.69 грн
500+ 31.56 грн
1000+ 30.39 грн
3000+ 29.23 грн
6000+ 28.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: HVQFN16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
товар відсутній
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.31 грн
250+ 44.33 грн
500+ 44.07 грн
1000+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
на замовлення 6274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+ 68.15 грн
25+ 64.71 грн
100+ 49.87 грн
250+ 46.62 грн
500+ 41.2 грн
1000+ 31.99 грн
2500+ 29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+28.7 грн
Мінімальне замовлення: 414
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.61 грн
11+ 71.08 грн
50+ 61.56 грн
100+ 48.31 грн
250+ 44.33 грн
500+ 44.07 грн
1000+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.61 грн
10+ 58.06 грн
100+ 41.24 грн
500+ 38.64 грн
1000+ 33.5 грн
2500+ 31.31 грн
6000+ 29.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+45.2 грн
265+ 44.95 грн
290+ 41.04 грн
293+ 39.18 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 32.73 грн
3000+ 31.48 грн
6000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 263
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: HVQFN16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+30.59 грн
412+ 28.87 грн
421+ 28.27 грн
500+ 26.48 грн
1000+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 389
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+ 68.15 грн
25+ 64.68 грн
100+ 49.86 грн
250+ 46.61 грн
500+ 41.19 грн
1000+ 31.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.84 грн
10+ 62.84 грн
25+ 62.21 грн
100+ 46.92 грн
250+ 43.03 грн
500+ 38.59 грн
1000+ 28.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+67.68 грн
178+ 67 грн
227+ 52.4 грн
250+ 50.04 грн
500+ 43.29 грн
1000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 176
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
на замовлення 31843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.32 грн
10+ 69.8 грн
100+ 37.81 грн
500+ 35.07 грн
1000+ 31.03 грн
2500+ 29.8 грн
5000+ 29.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.59 грн
5000+ 30.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 6
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+53.71 грн
241+ 49.47 грн
262+ 45.43 грн
270+ 42.55 грн
500+ 37.86 грн
1000+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 222
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+ 67.86 грн
25+ 64.39 грн
100+ 49.66 грн
250+ 46.42 грн
500+ 41.02 грн
1000+ 31.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Number of inputs: 8
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.45 грн
6000+ 30.6 грн
15000+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+61.6 грн
195+ 60.98 грн
233+ 51 грн
250+ 48.69 грн
500+ 42.23 грн
1000+ 32.06 грн
3000+ 29.67 грн
Мінімальне замовлення: 193
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Number of inputs: 8
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.6 грн
11+ 57.2 грн
25+ 56.62 грн
100+ 45.67 грн
250+ 41.87 грн
500+ 37.64 грн
1000+ 29.77 грн
3000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 58683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.57 грн
10+ 62.87 грн
100+ 43.23 грн
500+ 39.32 грн
1000+ 31.24 грн
3000+ 28.7 грн
6000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2008PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+105 грн
124+ 96.41 грн
152+ 78.45 грн
200+ 70.77 грн
500+ 65.36 грн
1000+ 55.73 грн
2000+ 52.01 грн
2500+ 51.83 грн
5000+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 114
NVT2008PW,118
Код товару: 189102		Мікросхеми > Логіка
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.17 грн
10+ 87.07 грн
25+ 86.23 грн
100+ 66.78 грн
250+ 59.67 грн
500+ 36.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.74 грн
10+ 89.41 грн
25+ 84.86 грн
100+ 65.43 грн
250+ 61.17 грн
500+ 54.05 грн
1000+ 41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+93.77 грн
128+ 92.86 грн
160+ 74.58 грн
250+ 69.4 грн
500+ 41.3 грн
Мінімальне замовлення: 127
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 29665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.9 грн
10+ 85.08 грн
100+ 59.39 грн
500+ 48.36 грн
1000+ 42.27 грн
2500+ 41.86 грн
5000+ 39.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.07 грн
5000+ 40.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
товар відсутній
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+177.11 грн
Мінімальне замовлення: 210
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 35316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.89 грн
10+ 79.07 грн
25+ 75.04 грн
100+ 57.85 грн
250+ 54.08 грн
500+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: HVQFN24
Number of inputs: 10
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.75 грн
3000+ 37.52 грн
7500+ 35.65 грн
10500+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: HVQFN24
Number of inputs: 10
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 26700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.9 грн
10+ 83.51 грн
100+ 55.76 грн
500+ 49.19 грн
1000+ 46.03 грн
1500+ 38.23 грн
3000+ 33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2010PW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+83.52 грн
159+ 75.07 грн
175+ 67.89 грн
250+ 58.57 грн
500+ 47.25 грн
1000+ 35.28 грн
Мінімальне замовлення: 143
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Number of inputs: 10
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 11817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.3 грн
10+ 80.36 грн
100+ 55.35 грн
500+ 49.25 грн
1000+ 38.91 грн
2500+ 36.24 грн
5000+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.01 грн
250+ 50.46 грн
500+ 47.36 грн
1000+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.58 грн
5000+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.12 грн
10+ 86.07 грн
50+ 74.31 грн
100+ 58.01 грн
250+ 50.46 грн
500+ 47.36 грн
1000+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2010PW,118
Код товару: 163785		Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Number of inputs: 10
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.38 грн
10+ 77.56 грн
25+ 69.71 грн
100+ 60.79 грн
250+ 50.35 грн
500+ 42.12 грн
1000+ 32.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.41 грн
10+ 78.28 грн
25+ 74.3 грн
100+ 57.27 грн
250+ 53.54 грн
500+ 47.31 грн
1000+ 36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+338.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.44 грн
10+ 561.31 грн
25+ 535.25 грн
100+ 416.54 грн
250+ 379.78 грн
500+ 355.28 грн
1000+ 313.31 грн
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210DDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210DDM3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DDM3R2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: MSOP
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+441.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT210DMTR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DMTR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, WDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: WDFN
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 251938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+416.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.44 грн
10+ 561.31 грн
25+ 535.25 грн
100+ 416.54 грн
250+ 379.78 грн
500+ 355.28 грн
1000+ 313.31 грн
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211CMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT211DMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
товар відсутній
NVT27023121
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT27023135
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323873
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323915
на замовлення 17820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17319.19 грн
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+20783.03 грн
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.59 грн
10+ 64.25 грн
25+ 63.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.38 грн
10+ 97.69 грн
25+ 92.71 грн
100+ 71.47 грн
250+ 66.81 грн
500+ 59.04 грн
1000+ 48.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 396
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsSIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.45 грн
10+ 92.69 грн
25+ 87.97 грн
100+ 67.82 грн
250+ 63.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.45 грн
10+ 92.69 грн
25+ 87.97 грн
100+ 67.8 грн
250+ 63.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
товар відсутній
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 530-539 дні (днів)
5+77.28 грн
10+ 53.1 грн
100+ 42.34 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.46 грн
2000+ 27.95 грн
4000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.63 грн
5+ 86.34 грн
10+ 70.22 грн
25+ 56.73 грн
50+ 49.14 грн
100+ 44.58 грн
500+ 36.88 грн
1000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4558HK EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16009.27 грн
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16847.5 грн
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 1.2V SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 39685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 46293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.45 грн
10+ 93.12 грн
25+ 87.89 грн
100+ 70.26 грн
250+ 65.97 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 47.05 грн
2500+ 43.8 грн
5000+ 42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
на замовлення 11199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.09 грн
10+ 96.9 грн
100+ 71.93 грн
250+ 67.55 грн
500+ 58.64 грн
1000+ 48.57 грн
2500+ 45.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15910.57 грн
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4858 EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16170.07 грн
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16708.44 грн
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.3 грн
250+ 46.37 грн
500+ 43.47 грн
1000+ 34.32 грн
2500+ 32.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
4+89.51 грн
10+ 74.76 грн
100+ 49.67 грн
500+ 43.91 грн
1000+ 34.66 грн
2000+ 33.36 грн
4000+ 30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.44 грн
10+ 79.92 грн
50+ 68.7 грн
100+ 53.3 грн
250+ 46.37 грн
500+ 43.47 грн
1000+ 34.32 грн
2500+ 32.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83 грн
10+ 71.43 грн
25+ 67.79 грн
100+ 52.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.6 грн
10+ 99.76 грн
25+ 94.71 грн
100+ 73.01 грн
250+ 68.25 грн
500+ 60.31 грн
1000+ 46.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4858UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 223-232 дні (днів)
3+112.69 грн
10+ 100.05 грн
100+ 67.55 грн
500+ 56.24 грн
1000+ 44.39 грн
3000+ 41.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9608.28 грн
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11529.94 грн
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17764.14 грн
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+21316.97 грн
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.42 грн
15+ 19.77 грн
100+ 11.22 грн
500+ 6.97 грн
1000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
NVTA7002NT1GonsemiMOSFET NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 838049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.77 грн
21+ 15.52 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 5.41 грн
3000+ 4.11 грн
9000+ 3.7 грн
24000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+4.59 грн
198+ 2.99 грн
202+ 2.93 грн
217+ 2.62 грн
250+ 2.23 грн
500+ 1.95 грн
1000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 129
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
6000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.59 грн
44+ 17.83 грн
108+ 7.15 грн
500+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
NVTA7002NT1GON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTC040N120M3SON SemiconductorNVTC040N120M3S
товар відсутній
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товар відсутній
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.23 грн
10+ 142.59 грн
100+ 98.65 грн
250+ 91.11 грн
500+ 82.89 грн
1000+ 70.56 грн
1500+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 898-907 дні (днів)
3+120.68 грн
10+ 96.11 грн
100+ 68.16 грн
250+ 65.01 грн
500+ 57.68 грн
1000+ 54.26 грн
1500+ 48.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS004N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+104.7 грн
10+ 85.08 грн
100+ 57.68 грн
500+ 48.84 грн
1000+ 39.73 грн
1500+ 37.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.82 грн
10+ 101.33 грн
100+ 78.99 грн
500+ 61.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.89 грн
10+ 90.6 грн
100+ 61.38 грн
500+ 52.06 грн
1000+ 42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 715
NVTFS005N04CTAGON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.97 грн
10+ 83.7 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.7 грн
3000+ 42.33 грн
7500+ 40.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 40840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.49 грн
10+ 92.17 грн
100+ 62.06 грн
500+ 52.61 грн
1000+ 47.27 грн
1500+ 40.42 грн
3000+ 38.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.69 грн
13+ 63.32 грн
100+ 45.49 грн
500+ 29.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.43 грн
10+ 53.45 грн
100+ 41.55 грн
500+ 33.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.49 грн
500+ 29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 59.95 грн
100+ 40.55 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 27.95 грн
1500+ 26.37 грн
3000+ 25.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.22 грн
10+ 46.4 грн
100+ 33.91 грн
500+ 29.59 грн
1000+ 24.11 грн
1500+ 22.67 грн
3000+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.54 грн
10+ 46.45 грн
100+ 36.14 грн
500+ 28.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.3 грн
10+ 87.45 грн
100+ 58.64 грн
500+ 48.43 грн
1000+ 37.88 грн
1500+ 32.2 грн
3000+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A Active OPN
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.52 грн
10+ 68.22 грн
100+ 45.14 грн
500+ 38.29 грн
1000+ 35.96 грн
1500+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.1 грн
10+ 58.23 грн
100+ 45.3 грн
500+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.52 грн
10+ 64.68 грн
100+ 43.77 грн
500+ 37.06 грн
1000+ 30.21 грн
1500+ 28.43 грн
3000+ 27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.03 грн
3000+ 19.75 грн
7500+ 18.71 грн
10500+ 16.26 грн
37500+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.94 грн
10+ 50.73 грн
100+ 30.14 грн
500+ 25.14 грн
1000+ 21.37 грн
1500+ 19.46 грн
3000+ 18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.1 грн
10+ 45.1 грн
100+ 31.19 грн
500+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 60.11 грн
100+ 40.62 грн
500+ 34.46 грн
1000+ 28.02 грн
1500+ 26.37 грн
3000+ 25.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.77 грн
3000+ 16.1 грн
7500+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
10+ 41.44 грн
100+ 24.59 грн
500+ 20.55 грн
1000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.72 грн
10+ 36.68 грн
100+ 25.43 грн
500+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.94 грн
10+ 55.15 грн
100+ 33.22 грн
500+ 27.74 грн
1000+ 23.57 грн
1500+ 19.73 грн
3000+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.5 грн
10+ 34.11 грн
100+ 23.73 грн
500+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.64 грн
3000+ 13.47 грн
7500+ 12.78 грн
10500+ 11.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH U8FL
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.64 грн
10+ 133.93 грн
100+ 93.17 грн
500+ 78.78 грн
1000+ 66.93 грн
1500+ 62 грн
3000+ 60.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.41 грн
10+ 163.07 грн
100+ 114.4 грн
500+ 95.91 грн
1000+ 81.52 грн
1500+ 71.93 грн
4500+ 69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.89 грн
10+ 92.17 грн
100+ 63.71 грн
250+ 58.78 грн
500+ 53.36 грн
1000+ 45.76 грн
1500+ 43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.19 грн
10+ 93.75 грн
100+ 65.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 102
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
4+99.9 грн
10+ 89.02 грн
100+ 59.8 грн
500+ 49.46 грн
1000+ 39.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товар відсутній
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.3 грн
10+ 78.35 грн
100+ 60.94 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 87.45 грн
100+ 58.78 грн
500+ 49.8 грн
1000+ 46.03 грн
1500+ 39.87 грн
3000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.57 грн
500+ 36.54 грн
1500+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.21 грн
10+ 51.24 грн
100+ 39.85 грн
500+ 31.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.93 грн
13+ 59.56 грн
100+ 42.57 грн
500+ 36.54 грн
1500+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.4 грн
10+ 55.02 грн
100+ 42.77 грн
500+ 34.02 грн
1000+ 27.71 грн
2000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.44 грн
10+ 68.93 грн
100+ 53.63 грн
500+ 42.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.44 грн
10+ 69 грн
100+ 53.68 грн
500+ 42.7 грн
1000+ 34.78 грн
2000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.18 грн
10+ 56.64 грн
100+ 34.12 грн
500+ 28.57 грн
1000+ 26.44 грн
1500+ 23.7 грн
3000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.15 грн
13+ 62.86 грн
100+ 44.8 грн
500+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+54.44 грн
228+ 52.1 грн
279+ 42.63 грн
288+ 39.89 грн
500+ 32.09 грн
1000+ 23.91 грн
3000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 219
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 19592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.42 грн
10+ 51.05 грн
100+ 34.59 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 23.91 грн
1500+ 22.47 грн
3000+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.62 грн
12+ 50.55 грн
25+ 48.38 грн
100+ 38.17 грн
250+ 34.3 грн
500+ 28.61 грн
1000+ 22.2 грн
3000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.8 грн
10+ 46.03 грн
100+ 35.79 грн
500+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.8 грн
500+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+56.91 грн
25+ 40.25 грн
69+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
25+ 33.54 грн
69+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.77 грн
10000+ 27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.38 грн
12+ 69.39 грн
100+ 50.18 грн
500+ 30.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.59 грн
10+ 59.51 грн
100+ 46.3 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 30 грн
2000+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.18 грн
500+ 30.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 24232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.72 грн
10+ 66.1 грн
100+ 44.73 грн
500+ 37.88 грн
1000+ 30.9 грн
2500+ 29.05 грн
5000+ 27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 901-910 дні (днів)
4+106.3 грн
10+ 85.87 грн
100+ 58.37 грн
500+ 49.46 грн
1000+ 40.28 грн
1500+ 37.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.56 грн
10+ 77.64 грн
100+ 60.38 грн
500+ 48.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.69 грн
10+ 88.23 грн
100+ 58.98 грн
500+ 50.01 грн
1000+ 39.18 грн
2500+ 38.36 грн
5000+ 36.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.78 грн
14+ 55.64 грн
100+ 38.96 грн
500+ 28.69 грн
1500+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.13 грн
10+ 58.38 грн
100+ 38.91 грн
500+ 30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFET Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
на замовлення 94896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.03 грн
10+ 44.98 грн
100+ 26.99 грн
500+ 22.61 грн
1000+ 17.13 грн
5000+ 16.17 грн
10000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.41 грн
10+ 64.6 грн
100+ 42.2 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 26.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+383.85 грн
Мінімальне замовлення: 97
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.9 грн
100+ 20.8 грн
250+ 18.95 грн
500+ 17.91 грн
1000+ 17.62 грн
3000+ 17.33 грн
6000+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
товар відсутній
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 7411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
3+121.48 грн
10+ 107.14 грн
100+ 72.61 грн
500+ 59.94 грн
1000+ 49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.09 грн
10+ 105.28 грн
100+ 75.08 грн
500+ 54.02 грн
1500+ 48.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.29 грн
10+ 92.96 грн
100+ 63.09 грн
500+ 53.43 грн
1000+ 43.5 грн
1500+ 40.97 грн
3000+ 39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.7 грн
3000+ 35.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.91 грн
10+ 73.97 грн
100+ 51.45 грн
500+ 44.25 грн
1000+ 41.1 грн
1500+ 35.96 грн
3000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+ 69.36 грн
100+ 53.98 грн
500+ 42.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.18 грн
10+ 99.13 грн
100+ 74.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.98 грн
10+ 49.87 грн
100+ 33.77 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 25 грн
1500+ 21.17 грн
3000+ 20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 330-339 дні (днів)
5+79.52 грн
10+ 64.84 грн
100+ 43.91 грн
500+ 37.2 грн
1000+ 30.28 грн
1500+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorPower MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+82.76 грн
145+ 81.96 грн
147+ 81.15 грн
250+ 77.47 грн
500+ 71 грн
1000+ 67.47 грн
Мінімальне замовлення: 144
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.72 грн
500+ 34.39 грн
1500+ 24.96 грн
4500+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
13+ 63.55 грн
100+ 46.72 грн
500+ 34.39 грн
1500+ 24.96 грн
4500+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 619-628 дні (днів)
5+72.81 грн
10+ 59.4 грн
100+ 40.28 грн
500+ 34.12 грн
1000+ 27.74 грн
1500+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.61 грн
10+ 76.85 грн
25+ 76.1 грн
100+ 72.66 грн
250+ 66.61 грн
500+ 63.3 грн
1000+ 62.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.43 грн
10+ 53.59 грн
100+ 41.65 грн
500+ 33.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.55 грн
10+ 61.87 грн
100+ 48.13 грн
500+ 38.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.43 грн
10+ 53.23 грн
100+ 41.41 грн
500+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.43 грн
10+ 53.23 грн
100+ 41.41 грн
500+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.52 грн
10+ 64.84 грн
100+ 43.91 грн
500+ 37.2 грн
1000+ 30.28 грн
1500+ 28.57 грн
3000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 837-846 дні (днів)
7+48.11 грн
10+ 41.36 грн
100+ 27.54 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 649-658 дні (днів)
7+48.11 грн
10+ 40.34 грн
100+ 26.24 грн
500+ 20.62 грн
1000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.1 грн
17+ 47.57 грн
100+ 33.2 грн
500+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.2 грн
500+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H888NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8Lonsemionsemi
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 87.45 грн
100+ 57.75 грн
500+ 48.91 грн
1000+ 39.8 грн
1500+ 37.47 грн
3000+ 35.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.78 грн
500+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.35 грн
10+ 89.91 грн
100+ 64.78 грн
500+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 669-678 дні (днів)
3+128.67 грн
10+ 105.57 грн
100+ 73.3 грн
250+ 69.87 грн
500+ 60.9 грн
1000+ 52.2 грн
1500+ 49.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
3+118.28 грн
10+ 105.57 грн
100+ 73.98 грн
500+ 60.28 грн
1000+ 49.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 38775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.23 грн
10+ 84.56 грн
100+ 67.29 грн
500+ 53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS008N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.1 грн
10+ 86.66 грн
100+ 58.5 грн
500+ 49.6 грн
1000+ 40.42 грн
1500+ 37.95 грн
3000+ 36.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
3+117.48 грн
10+ 95.32 грн
100+ 64.33 грн
500+ 54.73 грн
1000+ 44.6 грн
1500+ 41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.61 грн
10+ 58.06 грн
100+ 40.08 грн
500+ 33.98 грн
1500+ 27.68 грн
3000+ 27.13 грн
9000+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.69 грн
13+ 61.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
товар відсутній
NVTFWS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
4+87.91 грн
10+ 70.43 грн
100+ 47.68 грн
500+ 40.42 грн
1000+ 35.21 грн
1500+ 29.87 грн
3000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.03 грн
10+ 62.72 грн
100+ 48.78 грн
500+ 38.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.7 грн
10+ 68.43 грн
100+ 53.23 грн
500+ 42.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.7 грн
3000+ 26.02 грн
7500+ 24.78 грн
10500+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.21 грн
10+ 51.45 грн
100+ 40.03 грн
500+ 31.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+87.91 грн
10+ 71.37 грн
100+ 48.3 грн
500+ 40.97 грн
1000+ 33.29 грн
1500+ 31.37 грн
3000+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
5+68.41 грн
10+ 59.16 грн
100+ 35.07 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.99 грн
10+ 52.38 грн
100+ 36.24 грн
500+ 28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.02 грн
10+ 50.31 грн
100+ 34.82 грн
500+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.94 грн
10+ 55.15 грн
100+ 33.22 грн
500+ 27.74 грн
1000+ 25.48 грн
1500+ 22.33 грн
3000+ 20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товар відсутній
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товар відсутній
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 7339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.31 грн
10+ 73.27 грн
100+ 49.94 грн
500+ 42.34 грн
1000+ 34.46 грн
1500+ 32.4 грн
3000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товар відсутній
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товар відсутній
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 1147228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.54 грн
20+ 16.47 грн
100+ 6.17 грн
1000+ 5.14 грн
3000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.52 грн
21+ 17.34 грн
24+ 15.13 грн
38+ 9.56 грн
100+ 8.63 грн
115+ 7.28 грн
315+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
NVTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.82 грн
13+ 21.61 грн
15+ 18.15 грн
25+ 11.47 грн
100+ 10.36 грн
115+ 8.73 грн
315+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.97 грн
19+ 15.77 грн
100+ 7.94 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товар відсутній
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товар відсутній
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 650
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.09 грн
12+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.36 грн
11+ 31.04 грн
100+ 16.85 грн
500+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.68 грн
500+ 8.35 грн
1000+ 5.97 грн
3000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 33761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.49 грн
20+ 16.23 грн
100+ 7.6 грн
1000+ 5.89 грн
3000+ 5.14 грн
9000+ 4.52 грн
24000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
6000+ 5.34 грн
9000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.89 грн
36+ 21.9 грн
100+ 12.68 грн
500+ 8.35 грн
1000+ 5.97 грн
3000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR0202PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.94 грн
17+ 17.55 грн
100+ 8.86 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.07 грн
14+ 44.99 грн
25+ 43.1 грн
100+ 32.08 грн
250+ 27.26 грн
500+ 22.94 грн
1000+ 16.52 грн
3000+ 16.35 грн
6000+ 15.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.67 грн
500+ 20.05 грн
1000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.27 грн
10+ 32.4 грн
100+ 24.2 грн
500+ 17.85 грн
1000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.1 грн
20+ 40.04 грн
100+ 26.67 грн
500+ 20.05 грн
1000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
NVTR4502PT1GonsemiMOSFET PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 70758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.88 грн
10+ 31.67 грн
100+ 19.18 грн
500+ 15 грн
1000+ 12.19 грн
3000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+46.42 грн
332+ 35.83 грн
362+ 32.88 грн
500+ 27.79 грн
1000+ 18.53 грн
3000+ 17.61 грн
6000+ 17.14 грн
Мінімальне замовлення: 256
NVTR4502PT1GONSEMINVTR4502PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
9000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+ 5.43 грн
9000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GonsemiMOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R
на замовлення 188610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.01 грн
18+ 17.88 грн
100+ 7.81 грн
1000+ 6.1 грн
3000+ 5.27 грн
9000+ 4.66 грн
24000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.46 грн
35+ 8.71 грн
100+ 7.45 грн
155+ 6.47 грн
425+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
9000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.22 грн
55+ 6.99 грн
100+ 6.21 грн
155+ 5.39 грн
425+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 35
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.68 грн
16+ 17.84 грн
100+ 9 грн
500+ 7.48 грн
1000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.35 грн
35+ 22.59 грн
100+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS003N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.07 грн
10+ 60.37 грн
100+ 46.99 грн
500+ 37.38 грн
1000+ 30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS003N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.4 грн
10+ 55.37 грн
100+ 43.08 грн
500+ 34.27 грн
1000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGON Semiconductor40V N-Channel Mosfet
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.88 грн
10+ 56.66 грн
100+ 44.04 грн
500+ 35.03 грн
1000+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS005N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiMCC
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS007N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.36 грн
10+ 57.66 грн
100+ 44.82 грн
500+ 35.66 грн
1000+ 29.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS008N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+ 53.88 грн
100+ 37.28 грн
500+ 29.24 грн
1000+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 57.37 грн
100+ 39.7 грн
500+ 31.13 грн
1000+ 26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.11 грн
6000+ 23.82 грн
9000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, 60 V, 9.8 mohm, 51 A
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.69 грн
10+ 52.66 грн
100+ 40.92 грн
500+ 32.55 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS013N10MCLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V LL SINGLE PCH LFPAK 13 MOHMS MAX
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.05 грн
10+ 60.74 грн
100+ 41.17 грн
500+ 34.87 грн
1000+ 28.43 грн
3000+ 26.72 грн
6000+ 25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS025P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 255µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemionsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel,
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2368 pF @ 25 V
товар відсутній