Продукція > TPN

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-1

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товар відсутній

TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-125

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-175

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-200

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товар відсутній

TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-225

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

TPN-600

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

товар відсутній

TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товар відсутній

TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

товар відсутній

TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN05B3552

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

на замовлення 5220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN10BE

TPN10BE Vices and Clamps

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	701.41 грн
2+	690.99 грн
3+	653.07 грн
4+	653.04 грн

TPN11003NL
Код товару: 191772

товар відсутній

TPN11003NL

MOSFET

товар відсутній

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN11003NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

на замовлення 2605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	41.67 грн
100+	25.05 грн
500+	20.91 грн
1000+	17.81 грн
3000+	15.87 грн
6000+	15.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 2612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.79 грн
10+	37.53 грн
100+	25.95 грн
500+	20.35 грн
1000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

товар відсутній

TPN11003NL,LQ транзистор
Код товару: 202017

товар відсутній

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 366

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0094 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.81 грн
17+	46.37 грн
100+	28.64 грн
500+	22.21 грн
1000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 15

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN11003NL,LQ(S

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.64 грн
500+	22.21 грн
1000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN11003NLLQ(S

MOSFET

товар відсутній

TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

товар відсутній

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товар відсутній

TPN11006NL,LQ

MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

на замовлення 5133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	57.62 грн
100+	34.64 грн
500+	28.92 грн
1000+	24.64 грн
3000+	21.95 грн
6000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.7 грн
10+	55.5 грн
100+	42.51 грн
500+	31.54 грн
1000+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.24 грн
13+	61.93 грн
100+	38.86 грн
500+	30.12 грн
1000+	21.5 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TPN11006NL,LQ(S

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.86 грн
500+	30.12 грн
1000+	21.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

товар відсутній

TPN11006PL,LQ

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 56990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	39.29 грн
100+	23.6 грн
500+	19.74 грн
1000+	16.84 грн
3000+	14.29 грн
6000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 9967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.72 грн
100+	24.04 грн
500+	18.85 грн
1000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товар відсутній

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.0088 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.55 грн
500+	20.56 грн
1000+	16.52 грн
5000+	14 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN11006PL,LQ(S

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.24 грн
19+	42.43 грн
100+	26.55 грн
500+	20.56 грн
1000+	16.52 грн
5000+	14 грн

Мінімальне замовлення: 16

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.54 грн
10000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN1110ENH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

товар відсутній

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 34738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
10+	87.06 грн
100+	67.73 грн
500+	53.88 грн
1000+	43.89 грн
2000+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 8988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.86 грн
500+	51.47 грн
1000+	43.8 грн
5000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN1110ENH,L1Q(M

на замовлення 8988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.16 грн
11+	74.63 грн
100+	61.86 грн
500+	51.47 грн
1000+	43.8 грн
5000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.68 грн
15+	53.34 грн
100+	39.41 грн
500+	31.85 грн
1000+	25.68 грн
5000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN12008QM,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.41 грн
500+	31.85 грн
1000+	25.68 грн
5000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN1200APL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 2584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.43 грн
10+	53.17 грн
100+	31.54 грн
500+	26.36 грн
1000+	22.5 грн
2500+	20.36 грн
5000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.74 грн
10+	47.09 грн
100+	32.59 грн
500+	25.55 грн
1000+	21.75 грн
2000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

товар відсутній

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN120N

SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN12BE

TPN12BE Vices and Clamps

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	942.96 грн
2+	872.15 грн
4+	824.71 грн

TPN13008NH

товар відсутній

TPN13008NH,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	61.43 грн
100+	41.55 грн
500+	35.2 грн
1000+	27.05 грн
2500+	26.98 грн
5000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 10491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.17 грн
10+	55.21 грн
100+	42.94 грн
500+	34.16 грн
1000+	27.83 грн
2000+	26.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN13008NH,L1Q(M

товар відсутній

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.61 грн
12+	64.8 грн
100+	46.61 грн
500+	36.66 грн
1000+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

TPN13008NH,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.61 грн
500+	36.66 грн
1000+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 4832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.74 грн
21+	37.39 грн
100+	30.97 грн
500+	25.81 грн
1000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 19

TPN14006NH,L1Q(M

на замовлення 4832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.97 грн
500+	25.81 грн
1000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN14006NHL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPN15B5BE

TPN15B5BE Vices and Clamps

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	801.75 грн
2+	705.66 грн
4+	666.84 грн

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

на замовлення 17316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.37 грн
10+	47.94 грн
100+	32.51 грн
500+	27.95 грн
1000+	21.81 грн
5000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.62 грн
10000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 18890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.48 грн
10+	45.22 грн
100+	35.18 грн
500+	27.99 грн
1000+	22.8 грн
2000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.99 грн
15+	53.96 грн
100+	38.17 грн
500+	30.41 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN1600ANH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 80A; 42W; TSON8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: TSON8
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

TPN1600ANH,L1Q(M

товар відсутній

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.17 грн
500+	30.41 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN16BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1071.16 грн
2+	1029.32 грн
3+	936.85 грн

TPN16BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	892.64 грн

TPN16BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1139.91 грн
3+	1092.93 грн

TPN16BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	949.92 грн
3+	877.04 грн

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 4726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.79 грн
10+	37.09 грн
100+	25.68 грн
500+	20.13 грн
1000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

товар відсутній

TPN19008QM,LQ

MOSFET PD=57W F=1MHZ

на замовлення 141035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.44 грн
10+	32.38 грн
100+	20.63 грн
500+	18.22 грн
1000+	16.84 грн
3000+	15.46 грн
6000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 4523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.65 грн
17+	45.75 грн
100+	28.26 грн
500+	21.93 грн
1000+	15.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

TPN19008QM,LQ(S

на замовлення 4523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.26 грн
500+	21.93 грн
1000+	15.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN1R603PL,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

на замовлення 33037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	50 грн
100+	33.82 грн
500+	28.71 грн
1000+	22.02 грн
5000+	21.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 44030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	45.58 грн
100+	35.46 грн
500+	28.21 грн
1000+	22.98 грн
2000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.8 грн
10000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.1 грн
500+	30.84 грн
1000+	26.41 грн
5000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товар відсутній

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.99 грн
15+	54.89 грн
100+	39.1 грн
500+	30.84 грн
1000+	26.41 грн
5000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2010FNH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 7109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.92 грн
10+	95.24 грн
100+	66.11 грн
250+	63.22 грн
500+	54.73 грн
1000+	43.89 грн
2500+	43.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 5955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.02 грн
10+	82.31 грн
100+	65.5 грн
500+	52.01 грн
1000+	44.13 грн
2000+	41.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.168 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.32 грн
10+	96.77 грн
100+	70.92 грн
500+	57.01 грн
1000+	41.54 грн
5000+	40.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN2010FNH,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.32 грн
10+	96.77 грн
100+	70.92 грн
500+	57.01 грн
1000+	41.54 грн
5000+	40.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN20B5BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	789.67 грн
2+	759.67 грн
3+	706.52 грн
4+	690.99 грн

TPN20B5BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	658.06 грн
2+	609.62 грн
3+	588.77 грн
4+	575.83 грн

TPN20B6BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	778.06 грн

TPN20B6BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	933.67 грн
3+	868.07 грн

TPN20B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1095.32 грн
3+	1010.51 грн

TPN20B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	912.76 грн

TPN20BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 16 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1489.22 грн
2+	1433.35 грн
3+	1333.68 грн

TPN20BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1241.02 грн
2+	1150.22 грн
3+	1111.4 грн

TPN20BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN20BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN22006NH,LQ

MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	56.9 грн
100+	34.3 грн
500+	28.64 грн
1000+	24.36 грн
3000+	21.6 грн
6000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.96 грн
10+	51.9 грн
100+	35.92 грн
500+	28.16 грн
1000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.34 грн
500+	31.34 грн
1000+	22.3 грн
5000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.33 грн
13+	64.18 грн
100+	40.34 грн
500+	31.34 грн
1000+	22.3 грн
5000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	13.94 грн
100+	2.69 грн
500+	2.03 грн
580+	1.76 грн
1580+	1.66 грн
12000+	1.6 грн

Мінімальне замовлення: 20

TPN2222A

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TPN25B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN25B8BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN25BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN25BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN25BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN25BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN25S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN25S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8320 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

40+	6.97 грн
100+	2.88 грн
500+	2.5 грн
530+	1.92 грн
1460+	1.81 грн

Мінімальне замовлення: 40

TPN2907A
Код товару: 187366

Транзистори > Біполярні PNP

товар відсутній

TPN2907A

на замовлення 8320 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

70+	5.81 грн
160+	2.31 грн
500+	2.08 грн
530+	1.6 грн
1460+	1.51 грн

Мінімальне замовлення: 70

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

TPN2R203NC

MOSFET

товар відсутній

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.43 грн
10000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.83 грн
10000+	32.3 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2R203NC,L1Q

MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

на замовлення 22306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.96 грн
10+	70.24 грн
100+	47.41 грн
500+	40.23 грн
1000+	30.85 грн
2500+	30.78 грн
5000+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 9424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.37 грн
10+	64.05 грн
100+	49.82 грн
500+	39.63 грн
1000+	32.29 грн
2000+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.34 грн
500+	41.98 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	59.23 грн
304+	39.49 грн
326+	36.8 грн
327+	35.38 грн
500+	27.6 грн
1000+	25.04 грн
2000+	24.87 грн
5000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 203

TPN2R203NC,L1Q(M

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.22 грн
11+	73.47 грн
100+	53.34 грн
500+	41.98 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPN2R304PL

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET 40 Volt N-Channel

на замовлення 23235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.92 грн
10+	58.89 грн
100+	36.23 грн
500+	30.23 грн
1000+	22.91 грн
5000+	21.67 грн
10000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.61 грн
10000+	20.16 грн
25000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 39247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	52.41 грн
100+	36.28 грн
500+	28.45 грн
1000+	24.21 грн
2000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 16870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.72 грн
13+	63.17 грн
100+	41.96 грн
500+	31.77 грн
1000+	21.96 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	91.03 грн

Мінімальне замовлення: 132

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 16870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.96 грн
500+	31.77 грн
1000+	21.96 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товар відсутній

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

товар відсутній

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товар відсутній

TPN2R703NL

товар відсутній

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

на замовлення 4785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	63.19 грн
100+	49.14 грн
500+	39.09 грн
1000+	31.84 грн
2000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN2R703NL,L1Q

MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

на замовлення 22267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.15 грн
10+	70.16 грн
100+	47.48 грн
500+	40.23 грн
1000+	30.92 грн
2500+	30.85 грн
5000+	29.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товар відсутній

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.34 грн
500+	41.98 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	44.15 грн
317+	37.84 грн
334+	35.91 грн
500+	32.37 грн
1000+	28.15 грн
5000+	23.71 грн

Мінімальне замовлення: 272

TPN2R703NL,L1Q(M

на замовлення 3748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.22 грн
11+	73.39 грн
100+	53.34 грн
500+	41.98 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPN2R805PL,L1Q

MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.37 грн
10+	60.08 грн
100+	36.23 грн
500+	30.23 грн
1000+	22.91 грн
5000+	21.6 грн
10000+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN2R805PL,L1Q

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

товар відсутній

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 37456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	45.15 грн
100+	31.24 грн
500+	24.49 грн
1000+	20.84 грн
2000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 14701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.18 грн
10+	50.63 грн
100+	30.5 грн
500+	25.47 грн
1000+	19.32 грн
2500+	19.25 грн
5000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.46 грн
10000+	17.35 грн
25000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 6449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.11 грн
15+	54.04 грн
100+	34.22 грн
500+	26.53 грн
1000+	18.58 грн
5000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN2R903PL,L1Q(M

на замовлення 6449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.22 грн
500+	26.53 грн
1000+	18.58 грн
5000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товар відсутній

TPN30008NH,LQ

MOSFET N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

на замовлення 14662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	50.56 грн
100+	34.23 грн
500+	28.99 грн
1000+	23.6 грн
3000+	22.91 грн
6000+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

товар відсутній

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.99 грн
14+	55.43 грн
100+	39.56 грн
500+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN30008NH,LQ(S

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.56 грн
500+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN302

SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

09+

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

9250

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

07+ SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

09+ SOP8

на замовлення 4658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN302

на замовлення 77368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	164.2 грн
10+	147.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.06 грн
10+	68.37 грн
50+	66.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

товар відсутній

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

товар відсутній

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 3464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.6 грн
10+	68.44 грн
100+	53.25 грн
500+	42.36 грн
1000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 9837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	121.43 грн
100+	94.55 грн
500+	86.96 грн
1000+	80.75 грн
2500+	74.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.5 грн
10+	129.97 грн
25+	127.56 грн
100+	99.11 грн
250+	89.28 грн
500+	74.88 грн
1000+	58.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

товар відсутній

TPN3021RL

TPN3021RL Thyristors - others

на замовлення 188 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	192.31 грн
8+	137.16 грн
21+	129.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Circuits
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 3514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216 грн
10+	159.48 грн
100+	122.32 грн
500+	100.64 грн
1000+	84.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN30B8BE

TPN30B8BE Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1102.48 грн
3+	1042.1 грн

TPN30BE

TPN30BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2072.12 грн
2+	1959.11 грн

TPN30BE-2K

TPN30BE-2K Vices and Clamps

товар відсутній

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN30S12BE

TPN30S12BE Vices and Clamps

товар відсутній

TPN3201RL

01+ SOP

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 13558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN3300ANH,LQ

MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

на замовлення 31614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.41 грн
10+	52.14 грн
100+	35.27 грн
500+	29.81 грн
1000+	24.29 грн
3000+	22.08 грн
6000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.76 грн
14+	55.51 грн
100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	20.77 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 28192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	66.11 грн
298+	40.28 грн
326+	36.72 грн
327+	35.31 грн
500+	26.61 грн
1000+	23.8 грн
2000+	23.62 грн
3000+	22.41 грн
6000+	21.18 грн

Мінімальне замовлення: 182

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	20.77 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

на замовлення 34201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.51 грн
10+	42.7 грн
100+	29.57 грн
500+	23.18 грн
1000+	19.73 грн
2000+	17.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN3R704PL,L1Q

MOSFET 40 Volt N-Channel

на замовлення 4071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.14 грн
10+	45.71 грн
100+	28.16 грн
500+	23.67 грн
1000+	18.08 грн
2500+	18.01 грн
5000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.42 грн
10000+	16.43 грн
25000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товар відсутній

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.44 грн
500+	25.16 грн
1000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN3R704PL,L1Q(M

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.15 грн
16+	50.17 грн
100+	32.44 грн
500+	25.16 грн
1000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 13

TPN40BE

TPN40BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2527.6 грн
2+	2389.58 грн

TPN40BE-2K

TPN40BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2553.48 грн

TPN40S10BE

TPN40S10BE Vices and Clamps

товар відсутній

TPN40S12BE

TPN40S12BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1942.72 грн
2+	1836.61 грн

TPN40S12BE-2K

TPN40S12BE-2K Vices and Clamps

товар відсутній

TPN40S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товар відсутній

TPN40S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.61 грн
15+	54.04 грн
100+	39.95 грн
500+	32.21 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN4800CQH,L1Q(M

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.95 грн
500+	32.21 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товар відсутній

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

товар відсутній

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товар відсутній

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN4R303NL,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.94 грн
10+	68.65 грн
100+	46.58 грн
500+	38.44 грн
1000+	30.37 грн
2500+	28.36 грн
5000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN4R712MD

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 7072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.24 грн
10+	46.3 грн
100+	32.03 грн
500+	25.11 грн
1000+	21.37 грн
2000+	19.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

на замовлення 12022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.63 грн
10+	52.14 грн
100+	31.4 грн
500+	26.22 грн
1000+	19.88 грн
5000+	18.77 грн
10000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

товар відсутній

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.66 грн
14+	55.51 грн
100+	35.23 грн
500+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.23 грн
500+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 12779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	46.15 грн
100+	35.88 грн
500+	28.54 грн
1000+	23.25 грн
2000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN4R806PL,L1Q

MOSFET TRANS POWER MOSFET

на замовлення 4638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.41 грн
10+	52.14 грн
100+	35.33 грн
500+	29.88 грн
1000+	22.98 грн
5000+	21.88 грн
10000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.06 грн
10000+	21.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.76 грн
14+	55.51 грн
100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN4R806PL,L1Q(M

на замовлення 3740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN50S12BE

TPN50S12BE Vices and Clamps

товар відсутній

TPN50S12BE-2K

TPN50S12BE-2K Vices and Clamps

товар відсутній

TPN50S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товар відсутній

TPN50S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN5900CNH,L1Q

MOSFET UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 5271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.62 грн
10+	78.25 грн
100+	52.59 грн
500+	44.51 грн
1000+	34.23 грн
5000+	32.51 грн
10000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товар відсутній

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.08 грн
10+	71.67 грн
100+	55.71 грн
500+	44.31 грн
1000+	36.1 грн
2000+	33.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.61 грн
10+	82.84 грн
100+	60.15 грн
500+	47.3 грн
1000+	33.51 грн
5000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	51.56 грн

Мінімальне замовлення: 233

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.15 грн
500+	47.3 грн
1000+	33.51 грн
5000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPN5R203PL,LQ

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

на замовлення 10682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	39.52 грн
100+	23.74 грн
500+	19.81 грн
1000+	16.91 грн
3000+	15.04 грн
6000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.02 грн
10+	41.7 грн
100+	31.14 грн
500+	22.97 грн
1000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

товар відсутній

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 0.0039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.17 грн
19+	42.66 грн
100+	26.71 грн
500+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 16

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товар відсутній

TPN5R203PL,LQ(S

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.71 грн
500+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN60S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN60S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товар відсутній

TPN60S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товар відсутній

TPN60S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товар відсутній

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	46.15 грн
100+	35.88 грн
500+	28.54 грн
1000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

товар відсутній

TPN6R003NL,LQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 32W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.15 грн
500+	19.55 грн
1000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN6R003NL,LQ(S

товар відсутній

TPN6R003NL,LQ(S

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.97 грн
24+	33.44 грн
100+	24.15 грн
500+	19.55 грн
1000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 19

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товар відсутній

TPN6R303NC,LQ

MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

товар відсутній

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товар відсутній

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

на замовлення 24416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	52.06 грн
100+	35.27 грн
500+	29.81 грн
1000+	22.98 грн
2500+	22.91 грн
5000+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 5532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	46.87 грн
100+	36.46 грн
500+	29.01 грн
1000+	23.63 грн
2000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

товар відсутній

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN7R006PL,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.76 грн
14+	55.51 грн
100+	39.64 грн
500+	31.13 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	48.52 грн
288+	41.6 грн
305+	39.36 грн
500+	35.51 грн
1000+	30.88 грн

Мінімальне замовлення: 247

TPN7R006PLL1Q(M

товар відсутній

TPN7R504PL,LQ

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 8049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.4 грн
10+	37.54 грн
100+	22.57 грн
500+	18.84 грн
1000+	16.08 грн
3000+	14.22 грн
6000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	36.23 грн
100+	27.76 грн
500+	20.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

товар відсутній

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0056 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.32 грн
500+	19.63 грн
1000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN7R504PL,LQ(S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.77 грн
19+	41.19 грн
100+	25.32 грн
500+	19.63 грн
1000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 17

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товар відсутній

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.15 грн
10+	65.71 грн
100+	51.21 грн
500+	39.7 грн
1000+	31.35 грн
2000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPN7R506NH,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

на замовлення 31776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.62 грн
10+	59.29 грн
100+	40.1 грн
500+	34.02 грн
1000+	26.16 грн
2500+	26.09 грн
5000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.06 грн
500+	35.51 грн
1000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товар відсутній

TPN7R506NH,L1Q(M

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.52 грн
13+	62.79 грн
100+	45.06 грн
500+	35.51 грн
1000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

TPN80S12BE

TPN80S12BE Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2505.17 грн
2+	2368.87 грн

TPN80S12BE-2K

TPN80S12BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2538.82 грн

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товар відсутній

TPN80S17BE

TPN80S17BE Vices and Clamps

товар відсутній

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 0.0065 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.71 грн
12+	66.35 грн
100+	49.01 грн
500+	39.54 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN8R408QM,L1Q(M

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.01 грн
500+	39.54 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPN8R903NL

MOSFET

товар відсутній

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	27.55 грн
513+	23.35 грн
518+	23.12 грн
567+	20.38 грн
1000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 435

TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086

товар відсутній

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товар відсутній

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON

на замовлення 3069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.44 грн
24+	25.7 грн
25+	25.58 грн
100+	20.91 грн
250+	19.17 грн
500+	16.83 грн
1000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 22

TPN8R903NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

на замовлення 12625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.69 грн
10+	34.76 грн
100+	22.71 грн
500+	19.74 грн
1000+	17.32 грн
3000+	16.43 грн
6000+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.68 грн
16+	49.16 грн
100+	30.5 грн
500+	23.72 грн
1000+	16.86 грн
5000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 14

TPN8R903NL,LQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; 22W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Power dissipation: 22W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TPN8R903NL,LQ(S