Продукція > AIK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIKN/A06+
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIK12F02AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2639.75 грн
AIK12F02AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
товар відсутній
AIK12F02AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12N04AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2603.92 грн
AIK12N04AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD
товар відсутній
AIK12N04AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AIK12N04AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18F05AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18N08AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3912.59 грн
AIK18N08AN024-5MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4087.28 грн
AIK18N08AN024-5MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4421.73 грн
AIK18N08AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3959.62 грн
10+ 3210.9 грн
25+ 3010.26 грн
AIK18N08AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4421.73 грн
AIK18N08AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-Q65AltechProximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA
товар відсутній
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.39 грн
5+ 140.18 грн
7+ 132.28 грн
10+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.46 грн
5+ 174.69 грн
7+ 158.73 грн
10+ 144.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686020
товар відсутній
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.61 грн
10+ 281.03 грн
25+ 265.55 грн
100+ 202.73 грн
500+ 167.22 грн
1000+ 153.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.21 грн
2000+ 119.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.73 грн
500+ 167.22 грн
1000+ 153.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.75 грн
10+ 226.98 грн
25+ 196 грн
100+ 160.11 грн
250+ 158.73 грн
500+ 142.17 грн
1000+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.1 грн
500+ 160.59 грн
1000+ 143.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.06 грн
10+ 206.75 грн
100+ 167.28 грн
500+ 139.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.75 грн
10+ 226.98 грн
25+ 196 грн
100+ 160.11 грн
250+ 158.73 грн
500+ 142.17 грн
1000+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.45 грн
10+ 269.42 грн
25+ 254.71 грн
100+ 194.1 грн
500+ 160.59 грн
1000+ 143.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.21 грн
2000+ 119.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686016
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.3 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.21 грн
1000+ 130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.45 грн
10+ 203.61 грн
100+ 164.13 грн
500+ 143.78 грн
1000+ 112.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.96 грн
10+ 239.17 грн
25+ 226.05 грн
100+ 183.86 грн
250+ 174.43 грн
500+ 156.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.13 грн
500+ 143.78 грн
1000+ 112.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.39 грн
500+ 153.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612750
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.61 грн
10+ 220.64 грн
100+ 180.39 грн
500+ 153.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.24 грн
10+ 304.76 грн
25+ 250.52 грн
100+ 216.01 грн
250+ 205.66 грн
500+ 187.03 грн
1000+ 158.73 грн
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.98 грн
10+ 283.03 грн
25+ 267.57 грн
100+ 217.61 грн
250+ 206.46 грн
500+ 185.25 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.98 грн
10+ 264.62 грн
100+ 214.04 грн
500+ 178.55 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.29 грн
10+ 296.03 грн
100+ 208.42 грн
500+ 185.65 грн
1000+ 158.73 грн
2000+ 146.31 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612746
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.03 грн
10+ 184.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesLow Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+184.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.58 грн
10+ 333.33 грн
25+ 273.29 грн
100+ 233.95 грн
250+ 221.53 грн
500+ 208.42 грн
1000+ 178.74 грн
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.93 грн
500+ 200.57 грн
1000+ 158.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.63 грн
10+ 281.73 грн
100+ 227.94 грн
500+ 190.14 грн
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.79 грн
10+ 308.73 грн
25+ 264.32 грн
100+ 216.7 грн
250+ 213.94 грн
500+ 193.24 грн
1000+ 164.94 грн
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.16 грн
10+ 284.13 грн
100+ 229.93 грн
500+ 200.57 грн
1000+ 158.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686008
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.99 грн
10+ 395.24 грн
25+ 342.99 грн
100+ 286.4 грн
250+ 285.71 грн
500+ 251.9 грн
1000+ 226.36 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686004
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.98 грн
10+ 359.8 грн
100+ 299.83 грн
500+ 248.28 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.26 грн
2000+ 223.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686000
товар відсутній
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.26 грн
2000+ 223.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.16 грн
10+ 374.71 грн
100+ 317.42 грн
500+ 266.71 грн
1000+ 217.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.99 грн
10+ 395.24 грн
25+ 340.92 грн
100+ 286.4 грн
250+ 285.71 грн
500+ 252.59 грн
1000+ 226.36 грн
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.98 грн
10+ 359.8 грн
100+ 299.83 грн
500+ 248.28 грн
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+317.42 грн
500+ 266.71 грн
1000+ 217.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.86 грн
10+ 823.02 грн
20+ 696.34 грн
50+ 657 грн
100+ 619.05 грн
200+ 599.72 грн
500+ 561.08 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesSIC_DISCRETE
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.74 грн
10+ 732.98 грн
AIKC76753N/A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKD31551N/A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKP20N60CTInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.74 грн
3+ 292.94 грн
5+ 244.13 грн
12+ 231.19 грн
250+ 222.57 грн
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+131.41 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.45 грн
3+ 235.08 грн
5+ 203.44 грн
12+ 192.66 грн
250+ 185.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.34 грн
10+ 641.27 грн
25+ 535.54 грн
50+ 534.16 грн
100+ 530.02 грн
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.18 грн
10+ 585.96 грн
30+ 561.71 грн
120+ 501.66 грн
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.91 грн
10+ 875.75 грн
30+ 839.44 грн
120+ 694.1 грн
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.39 грн
10+ 938.89 грн
25+ 788.82 грн
50+ 764.66 грн
100+ 698.41 грн
240+ 604.55 грн
480+ 576.26 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKQ120N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.31 грн
10+ 1108.63 грн
25+ 935.99 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1105.47 грн
10+ 978.57 грн
25+ 821.95 грн
50+ 797.1 грн
100+ 728.09 грн
240+ 713.59 грн
480+ 654.24 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 750V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns
Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 731 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 682 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.71 грн
10+ 913.06 грн
30+ 875.17 грн
120+ 723.65 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Gate Charge: 1256 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 576 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1442.31 грн
30+ 1151.3 грн
120+ 1079.35 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ200N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.071kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1485.66 грн
5+ 1378.05 грн
10+ 1270.44 грн
50+ 1160.28 грн
100+ 955.57 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1545.09 грн
10+ 1353.97 грн
25+ 1132.5 грн
50+ 1113.87 грн
100+ 1029.67 грн
240+ 993.79 грн
480+ 882.68 грн
AIKRI-22X-10LD-3eInfochipsAikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37049.08 грн
2+ 34360.85 грн
AIKRI-22X-90AD-4eInfochipsAikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39752.78 грн
2+ 36913.29 грн
AIKRI-22X-90AS-4eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8279.38 грн
AIKRI-22X-90AS-4-1eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-10LD-3eInfochipsAikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36512.04 грн
2+ 33862.92 грн
AIKRI-42X-10LS-3eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8898.54 грн
AIKRI-42X-10LS-3-1eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-90AD-4eInfochipsDev kit with QCS4290 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37678.71 грн
2+ 34987.37 грн
AIKRI-42X-90AS-4eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9760.05 грн
AIKRI-42X-90AS-4-1eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-51X-65LD-8eInfochipsDev kit with QRB5165 processor based SoM.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+69665.79 грн
AIKRI-51X-65LS-8eInfochipsQRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32137.65 грн
2+ 29725.47 грн
AIKRI-54X-30MS-8eInfochipsQCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS
товар відсутній
AIKRI-82X-50AD-8eInfochipsDev kit with QCS8250 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67372.72 грн
AIKRI-82X-50AS-8eInfochipsQCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27800.29 грн
AIKRI-85X-50AS-8-1eInfochipsQCS8550 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 256GB UFS
товар відсутній
AIKRI-85X-50LS-12-3eInfochipsQCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 1TB UFS. For Leica Oscar
товар відсутній
AIKRI-X10-4S-4eInfochipsQCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9012.87 грн
5+ 8358.63 грн
AIKRI-X10-6D-4eInfochipsDev kit with QCS610 processor based SoM.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41120.73 грн
AIKRI-X10-6S-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC..
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-2-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-4eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9423.5 грн
AIKRI-X10-6S-4-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKW20N60CTInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.42 грн
10+ 404.76 грн
25+ 333.33 грн
100+ 298.14 грн
240+ 268.46 грн
AIKW30N60CTInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.32 грн
10+ 395.61 грн
100+ 254.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.56 грн
10+ 421.43 грн
25+ 345.76 грн
100+ 298.14 грн
240+ 222.91 грн
1200+ 211.87 грн
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.61 грн
10+ 398.12 грн
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesAIKW40N65DH5XKSA1
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.67 грн
5+ 400.25 грн
10+ 370.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.56 грн
10+ 579.36 грн
25+ 481.02 грн
100+ 415.46 грн
240+ 342.99 грн
480+ 314.7 грн
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.49 грн
10+ 611.2 грн
30+ 582.75 грн
120+ 474.86 грн
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.82 грн
10+ 635.71 грн
25+ 501.03 грн
100+ 460.32 грн
240+ 409.25 грн
480+ 365.77 грн
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.53 грн
10+ 557.06 грн
30+ 531.11 грн
120+ 432.79 грн
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.47 грн
10+ 706.06 грн
25+ 584.51 грн
240+ 484.53 грн
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.99 грн
10+ 580.16 грн
25+ 429.26 грн
100+ 403.73 грн
240+ 377.5 грн
480+ 333.33 грн
5040+ 317.46 грн
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.25 грн
10+ 685.15 грн
25+ 544.25 грн
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638		Транзистори > IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.08 грн
10+ 617.46 грн
25+ 487.23 грн
100+ 411.32 грн
240+ 354.73 грн
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.58 грн
10+ 641.25 грн
30+ 611.39 грн
120+ 498.21 грн
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 228 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+789.85 грн
10+ 703.17 грн
25+ 583.16 грн
100+ 506.56 грн
240+ 483.09 грн
480+ 383.71 грн
AIKW75N60CTE8188XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.73 грн
10+ 770.63 грн
25+ 652.86 грн
50+ 624.57 грн
100+ 575.57 грн
240+ 546.58 грн
480+ 469.29 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.57 грн
5+ 922.83 грн
10+ 843.09 грн
50+ 718.89 грн