Продукція > MJB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJB18004D2T4
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
товар відсутній
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJB41C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.74 грн
10+ 87.85 грн
100+ 69.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+85.31 грн
161+ 74.46 грн
500+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 141
MJB41CG
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.98 грн
10+ 80.16 грн
100+ 60.8 грн
250+ 60.32 грн
500+ 51.83 грн
950+ 46.51 грн
2850+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.29 грн
10+ 79.21 грн
100+ 69.65 грн
250+ 66.67 грн
500+ 53.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB41CG
Код товару: 179306		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.32 грн
10+ 73.83 грн
100+ 57.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q100, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.74 грн
10+ 105.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 452-461 дні (днів)
4+99.84 грн
10+ 80.16 грн
100+ 54.73 грн
500+ 46.38 грн
800+ 37.82 грн
2400+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.55 грн
1600+ 39.66 грн
2400+ 37.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q100, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
товар відсутній
MJB42CT4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.64 грн
10+ 61.03 грн
100+ 47.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.18 грн
10+ 60 грн
100+ 43.34 грн
500+ 35.75 грн
800+ 31.47 грн
2400+ 30.78 грн
4800+ 28.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB42CT4GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.97 грн
10+ 63.64 грн
25+ 63.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товар відсутній
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.7 грн
10+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.53 грн
50+ 78.36 грн
100+ 62.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
4+105.47 грн
10+ 84.92 грн
100+ 59.14 грн
500+ 50.17 грн
1000+ 38.44 грн
5000+ 36.65 грн
10000+ 36.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
MJB44H11GON-SemicoductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.89 грн
10+ 61.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товар відсутній
MJB44H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
товар відсутній
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+ 69.3 грн
100+ 53.91 грн
500+ 42.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.2 грн
10+ 76.03 грн
100+ 51.35 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 36.23 грн
2000+ 34.16 грн
5000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.65 грн
2000+ 35.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.09 грн
10+ 77.54 грн
100+ 59.56 грн
500+ 57.21 грн
800+ 41.06 грн
2400+ 40.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.55 грн
10+ 92.13 грн
100+ 68.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB44H11T4GON09+ SOP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.28 грн
10+ 80.37 грн
100+ 62.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
товар відсутній
MJB45H11
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB45H11G
Код товару: 105006		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.54 грн
50+ 75.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB45H11G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.77 грн
50+ 83.61 грн
100+ 71.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 85.71 грн
100+ 58.59 грн
500+ 49.69 грн
1000+ 39.61 грн
3000+ 38.1 грн
5000+ 35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJB45H11T4
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.33 грн
10+ 71.1 грн
100+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.23 грн
10+ 78.97 грн
100+ 53.42 грн
500+ 48.93 грн
800+ 36.92 грн
2400+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.67 грн
1600+ 38.18 грн
2400+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB45H11TG4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB5742T4GonsemiDarlington Transistors BIP D2PAK XSTR TR
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.76 грн
10+ 174.6 грн
25+ 144.24 грн
100+ 122.15 грн
250+ 118.7 грн
500+ 104.9 грн
800+ 88.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.85 грн
10+ 169.41 грн
25+ 166.37 грн
100+ 126.93 грн
250+ 113.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJB5742T4GON Semiconductor
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.71 грн
10+ 194.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
MJB_AccelerometerGOWIN SemiconductorGOWIN Semiconductor
товар відсутній
MJB_Camera_V2.1GOWIN SemiconductorGOWIN Semiconductor
товар відсутній