Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7832TRPBF
IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності 43 шт:
27 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+26.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 26.25 грн до 134.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+39.88 грн
8000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+43.06 грн
8000+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+44.44 грн
8000+ 44.01 грн
12000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+47.69 грн
8000+ 43.74 грн
12000+ 41.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+47.86 грн
8000+ 47.4 грн
12000+ 46.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+49.92 грн
1000+ 43.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.62 грн
21+ 41.62 грн
56+ 39.32 грн
500+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+53.89 грн
1000+ 47.5 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
206+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 206
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
172+69.8 грн
185+ 64.92 грн
219+ 54.64 грн
232+ 49.81 грн
500+ 46.03 грн
1000+ 39.92 грн
4000+ 36.75 грн
Мінімальне замовлення: 172
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 757 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.32 грн
5+ 64.32 грн
21+ 49.95 грн
56+ 47.19 грн
500+ 45.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+74.86 грн
500+ 59.45 грн
1000+ 39.68 грн
5000+ 38.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+103.82 грн
117+ 102.77 грн
160+ 74.87 грн
250+ 46.62 грн
Мінімальне замовлення: 116
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 37825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.97 грн
10+ 90.87 грн
100+ 70.65 грн
500+ 56.2 грн
1000+ 45.78 грн
2000+ 43.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+118.35 грн
10+ 96.41 грн
25+ 95.43 грн
100+ 67.04 грн
250+ 40.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.19 грн
10+ 99.21 грн
100+ 62.8 грн
500+ 52.31 грн
1000+ 44.72 грн
2000+ 42.58 грн
4000+ 41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+134.71 грн
10+ 100.64 грн
100+ 74.86 грн
500+ 59.45 грн
1000+ 39.68 грн
5000+ 38.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625		 irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 243 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Код товару: 128028		 cl_series_mlcc_datasheet.pdf
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 0603
у наявності: 3811 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.3 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
BZV55-C9V1
Код товару: 1362		 BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
у наявності: 18871 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.4 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BZV55-C12
Код товару: 1357		 BZV55.pdf
BZV55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 814 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.1 грн
100+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
22nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1284		 X7R_X5R.pdf
22nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 8915 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10